[发明专利]用于等离子体腔室电极的RF总线与RF回流总线

权利要求书

1.一种将RF功率从RF输入耦合至等离子体腔室的内部的设备，所述设 备包括：

等离子体腔室，所述等离子体腔室具有一或多个电接地的腔室壁，且所述 等离子体腔室具有与电接地绝缘的等离子体腔室电极；

RF总线导体，所述RF总线导体电连接至所述RF输入，且所述RF总线导 体电连接至位于所述等离子体腔室电极上的一或多个连接点，其中所述RF总 线导体包括第一表面；及

RF回流总线导体，所述RF回流总线导体电连接至一个所述电接地的腔室 壁，其中所述RF回流总线导体包括第二表面；

其中所述第一表面平行于所述第二表面且面对所述第二表面；及

其中所述第一表面和第二表面以一间隔隔开，所述间隔小于所述RF总线 导体与平行于所述第一表面的任何所述电接地的腔室壁之间的间隔。

2.一种将RF功率从RF输入耦合至等离子体腔室的内部的设备，所述设 备包括：

等离子体腔室，所述等离子体腔室具有一或多个电接地的腔室壁，且所述 等离子体腔室具有与电接地绝缘的等离子体腔室电极；

RF总线导体，所述RF总线导体电连接至所述RF输入，且所述RF总线导 体电连接至位于所述等离子体腔室电极上的一或多个连接点，其中所述RF总 线导体包括第一表面；及

RF回流总线导体，所述RF回流总线导体电连接至一个所述电接地的腔室 壁，其中所述RF回流总线导体包括第二表面；

其中所述第一表面平行于所述第二表面且面对所述第二表面；及

其中所述第一和第二表面以一间隔隔开，所述间隔小于所述第一表面沿任 何方向的宽度并小于所述第二表面沿任何方向的宽度。

3.一种将RF功率从RF输入耦合至等离子体腔室的内部的设备，所述设 备包括：

等离子体腔室，所述等离子体腔室具有一或多个电接地的腔室壁，且所述 等离子体腔室具有与电接地绝缘的等离子体腔室电极；

RF总线导体，所述RF总线导体电连接至所述RF输入，且所述RF总线导 体电连接至位于所述等离子体腔室电极上的一或多个连接点，其中所述RF总 线导体包括第一表面；及

RF回流总线导体，所述RF回流总线导体电连接至一个所述电接地的腔室 壁，其中所述RF回流总线导体包括第二表面；

其中所述第一表面平行于所述第二表面且面对所述第二表面；及

其中所述RF总线导体包括弯曲部分，以使所述第一表面并非是平面，所 述RF回流总线导体包括弯曲部分，以使所述第二表面并非是平面，且所述RF 总线导体的所述弯曲部分与所述RF回流总线导体的所述弯曲部分对准，以使 所述第一表面平行于所述第二表面。

4.一种将RF功率从RF输入耦合至等离子体腔室的内部的设备，所述设 备包括：

等离子体腔室，所述等离子体腔室具有一或多个电接地的腔室壁，且所述 等离子体腔室具有与电接地绝缘的等离子体腔室电极；

RF总线导体，所述RF总线导体电连接至所述RF输入，且所述RF总线导 体电连接至位于所述等离子体腔室电极上的一或多个连接点，其中所述RF总 线导体包括第一表面；及

RF回流总线导体，所述RF回流总线导体电连接至一个所述电接地的腔室 壁，其中所述RF回流总线导体包括第二表面；

其中所述第一表面平行于所述第二表面且面对所述第二表面；及

其中所述RF总线导体与所述RF回流总线导体间的电容大于所述RF总线 导体与所述腔室壁间的电容。

5.如权利要求1、2、3或4所述的设备，其中：

所述等离子体腔室电极包括喷淋头，所述喷淋头适于分配气体至所述等离 子体腔室中。

6.如权利要求1、2、3或4所述的设备，其中所述等离子体腔室电极包 括：

后壁，所述后壁具有气体入口导管；

喷淋头，所述喷淋头放置在所述后壁下方；及

电导体，所述电导体连接在所述后壁与所述喷淋头之间；

其中所述连接点位于所述后壁上。