[发明专利]有机薄膜太阳能电池及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201080014191.7 申请日: 2010-03-03
公开(公告)号: CN102365766A 公开(公告)日: 2012-02-29
发明(设计)人: 罗永春;岩本祐子;永元公市;近藤健 申请(专利权)人: 琳得科株式会社
主分类号: H01L51/42 分类号: H01L51/42
代理公司: 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 代理人: 程伟;王锦阳
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 有机 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种具备P型有机半导体层和N型有机半导体层的有机薄膜太 阳能电池,其特征在于,所述P型有机半导体层和所述N型有机半导 体层至少其中之一是由多种有机半导体材料的混合而形成的,所述多 种有机半导体材料在光学吸收谱中的吸收带彼此不同。

2.根据权利要求1所述的有机薄膜太阳能电池,其中在所述P型 有机半导体层与所述N型有机半导体层之间进一步设置有包括P型有 机半导体材料和N型有机半导体材料的混合物的混合层。

3.根据权利要求1或2所述的有机薄膜太阳能电池,进一步包括 电极和缓冲层,其中所述缓冲层设置在所述电极与所述P型有机半导 体层和所述N型有机半导体层至少其中之一的有机半导体层之间。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机薄膜太阳能电池,其 中所述P型有机半导体层包括聚苯亚乙烯、聚苯亚乙烯衍生物、聚噻 吩、酞菁、酞菁衍生物、卟啉、并五苯或红荧烯作为所述有机半导体 材料。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机薄膜太阳能电池,其 中所述N型有机半导体层包括富勒烯、富勒烯衍生物、碳纳米管或碳 纳米管衍生物作为所述有机半导体材料。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机薄膜太阳能电池,其 中所述P型有机半导体层和所述N型有机半导体层至少其中之一是多 层堆叠的。

7.一种具备P型有机半导体层和N型有机半导体层的有机薄膜太 阳能电池的制造方法,其特征在于,所述P型有机半导体层和所述N 型有机半导体层至少其中之一是由多种有机半导体的混合而形成的。

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