[发明专利]有机薄膜太阳能电池及其制造方法无效
申请号: | 201080014191.7 | 申请日: | 2010-03-03 |
公开(公告)号: | CN102365766A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 罗永春;岩本祐子;永元公市;近藤健 | 申请(专利权)人: | 琳得科株式会社 |
主分类号: | H01L51/42 | 分类号: | H01L51/42 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 薄膜 太阳能电池 及其 制造 方法 | ||
1.一种具备P型有机半导体层和N型有机半导体层的有机薄膜太 阳能电池,其特征在于,所述P型有机半导体层和所述N型有机半导 体层至少其中之一是由多种有机半导体材料的混合而形成的,所述多 种有机半导体材料在光学吸收谱中的吸收带彼此不同。
2.根据权利要求1所述的有机薄膜太阳能电池,其中在所述P型 有机半导体层与所述N型有机半导体层之间进一步设置有包括P型有 机半导体材料和N型有机半导体材料的混合物的混合层。
3.根据权利要求1或2所述的有机薄膜太阳能电池,进一步包括 电极和缓冲层,其中所述缓冲层设置在所述电极与所述P型有机半导 体层和所述N型有机半导体层至少其中之一的有机半导体层之间。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的有机薄膜太阳能电池,其 中所述P型有机半导体层包括聚苯亚乙烯、聚苯亚乙烯衍生物、聚噻 吩、酞菁、酞菁衍生物、卟啉、并五苯或红荧烯作为所述有机半导体 材料。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的有机薄膜太阳能电池,其 中所述N型有机半导体层包括富勒烯、富勒烯衍生物、碳纳米管或碳 纳米管衍生物作为所述有机半导体材料。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的有机薄膜太阳能电池,其 中所述P型有机半导体层和所述N型有机半导体层至少其中之一是多 层堆叠的。
7.一种具备P型有机半导体层和N型有机半导体层的有机薄膜太 阳能电池的制造方法,其特征在于,所述P型有机半导体层和所述N 型有机半导体层至少其中之一是由多种有机半导体的混合而形成的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择