[发明专利]电致发光装置无效
申请号: | 201080014241.1 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN102365768A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 笠松直史 | 申请(专利权)人: | 富士胶片株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H05B33/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 陈平 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电致发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及通过施加电场而发光的电致发光的发光装置(电致发光装 置),并且尤其涉及可以高效率地发光的电致发光装置。
背景技术
电致发光装置(EL装置),如有机EL装置,LED(发光二极管)和半导 体激光器以这样的方式构造:在基板上一个在另一个之上地沉积(堆叠, 重叠等)电极层,发光层等。通常,通过透明电极提取发光层中产生的光。 然而,受到各层的折射率的影响,当光以大于或等于临界角的角度进入光 提取侧层的界面时,发生全反射。因此,光被俘获在电致发光装置中,并 且不能从其中提取光。因此,发射光的高效率提取是困难的。例如,当透 明电极的折射率是通常被用作透明电极的材料的ITO(氧化铟锡)等的折射 率时,据称光提取效率为大约20%。
例如,在有机EL装置中,已知当有机材料长期存在于激发状态下时, 有机材料的化学键自发断裂,并且随着时间过去有机EL装置的发光性能 劣化。当使用有机材料作为电致发光装置(发光装置)的材料时解决这个问 题是必要的。此外,在使用荧光时,上能级(上能级或状态)处的生成效率 理论上被限定为25%,并且不可能提高发光效率超过该水平。原则上, 当使用磷光并促进系间窜越时,可以诱导只包括三线态的上能级。因此, 可以将理论极限增加至75%至100%的范围。然而,上能级中三线态的寿 命长于荧光的寿命,它在容许跃迁中发射,并且激子之间的碰撞几率高。 因此,发光效率低。此外,该装置劣化得更快,并且该装置的耐久性差。
如上所述,EL装置的提取效率和发光效率低。因此,发射光的利用 效率极低,并且,需要提高利用效率。
为解决这些问题,使用了多种方法提高提取效率和发光效率(或增强 光发射)。
例如,日本未审查专利公布号2006-313667提出了一种有机EL装置, 其中控制了光发射的方向性以提高所提取的光的利用效率。该有机EL装 置在电极的表面上包含具有凸起和凹陷的不平坦图案。此外,该有机EL 装置的发光层由具有窄的光发射光谱宽度的发光材料制成。
此外,J.Chang和A.W.Lu,“用于有机微腔OLED的空腔设计和优 化(Cavity design and optimization for organic microcavity OLEDs)”,Proc. SPIE,第6038卷,603824,2005年;W.L.Barnes,“近界面荧光:光子 模式密度的作用(Fluorescence near interfaces:the role of photonic mode density)”,现代光学杂志(Journal ofModern Optics),第45卷,第661-699 页,1998年;以及W.Li等,“Alq3的发射效率增强和用于等离子体激 元增强有机电致发光的展望(Emissive Efficiency Enhancement of Alq3 and Prospects for Plasmon-enhanced Organic Electroluminescence)”,Proc.SPIE, 第7032卷,第703224-1-703224-7页,2008年,提出使用微腔效应的方 法和使用等离子体激元增强效应的方法作为用于提高光发射效率(增强光 发射)的方法。
在使用微腔效应的方法中,在有机EL装置中设置共振腔(resonator) 以控制光发射的方向性(以缩窄)。此外,使驻波的波腹(反节点(anti-node)) (由驻波所致的电场的强度最高的位置)与发光部分匹配以增强光发射。J. Chang和A.W.Lu,“用于有机微腔OLED的空腔设计和优化(Cavity design and optimization for organic microcavity OLED)”,Proc.SPIE,第 6038卷,603824,2005年,提出了采用在有机EL装置的任意一端上包 含镜子的结构。在该方法中,将银镜和铜镜布置在有机EL装置的任意一 端上以使微腔效应积极地展现出来。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择