[发明专利]电子元件的制造方法有效

专利信息
申请号: 201080014395.0 申请日: 2010-03-01
公开(公告)号: CN102369583A 公开(公告)日: 2012-03-07
发明(设计)人: 石渡祐;三崎胜弘 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01F41/04 分类号: H01F41/04;H01F17/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 田军锋;舒艳君
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 电子元件 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种电子元件的制造方法,其特征在于,

具备:

层叠多个第一绝缘体层与多个第一导体层的工序;

在所述第一绝缘体层上形成第二绝缘体层的工序,该第二绝缘体层设置有沿规定方向延伸的多个第一槽;

在所述第一槽的内周面、以及所述第二绝缘体层上的与该第一槽邻接的区域,以与所述第一导体层电连接的方式形成成为外部电极的第二导体层的工序;以及

对所述第一绝缘体层、所述第二绝缘体层、所述第一导体层以及所述第二导体层进行烧制的工序。

2.根据权利要求1所述的电子元件的制造方法,其特征在于,

所述电子元件的制造方法进一步具备:沿所述第一槽切割由所述第一绝缘体层以及所述第二绝缘体层构成的母层叠体而得到多个层叠体的工序,

在对所述第一绝缘体层、所述第二绝缘体层、所述第一导体层以及所述第二导体层进行烧制的工序中,烧制所述多个层叠体。

3.根据权利要求1或2所述的电子元件的制造方法,其特征在于,

层叠所述多个第一绝缘体层与所述多个第一导体层的工序包含:在所述第一绝缘体层上形成沿所述规定方向延伸的第三导体层的工序,

在形成所述第二绝缘体层的工序中,以在从层叠方向俯视观察时,所述第一槽与所述第三导体层重叠、并且具有比该第三导体层的宽度窄的宽度的方式,在所述第一绝缘体层以及该第三导体层上形成该第二绝缘体层。

4.根据权利要求1所述的电子元件的制造方法,其特征在于,

所述电子元件的制造方法进一步具备:在所述第二绝缘体层上形成第三绝缘体层的工序,该第三绝缘体层以从层叠方向俯视观察时与所述第一槽重叠的方式设置有第二槽,该第二槽具有比所述第一槽的宽度宽的宽度,

在形成所述第二导体层的工序中,对所述第一槽以及所述第二槽填充导电材料。

5.根据权利要求4所述的电子元件的制造方法,其特征在于,

所述电子元件的制造方法进一步具备:沿所述第一槽切割由所述第一绝缘体层、所述第二绝缘体层以及所述第三绝缘体层构成的母层叠体而得到多个层叠体的工序,

在对所述第一绝缘体层、所述第二绝缘体层、所述第一导体层、所述第二导体层进行烧制的工序中,烧制所述多个层叠体。

6.根据权利要求1~5中任意一项所述的电子元件的制造方法,其特征在于,

设置有所述第一槽的所述第二绝缘体层通过光刻工序而形成。

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