[发明专利]横向结型场效应晶体管

权利要求书

1.一种横向结型场效应晶体管，包括：

半导体衬底(1)；

缓冲层(11)，所述缓冲层(11)位于所述半导体衬底(1)的主表面上并且包含第一导电类型的杂质；

沟道层(12)，所述沟道层(12)位于所述缓冲层(11)上，并且该沟道层(12)包含浓度比所述缓冲层(11)中的所述第一导电类型的杂质的浓度更高的第二导电类型的杂质；

源极区(15)和漏极区(16)，在所述沟道层(12)的表面层中彼此间隔开地形成所述源极区(15)和漏极区(16)，并且所述源极区(15)和漏极区(16)包含第二导电类型的杂质；

栅极区(17)，所述栅极区(17)位于所述沟道层(12)的表面层中并且在所述源极区(15)与所述漏极区(16)之间，并且该栅极区(17)包含第一导电类型的杂质；以及

阻挡区(13)，在位于所述栅极区(17)的下方的区域中或者在从所述栅极区(17)的下方延伸至所述源极区(15)的下方的区域中，所述阻挡区(13)被布置在所述沟道层(12)与所述缓冲层(11)之间的界面区中，并且所述阻挡区(13)包含第一导电类型的杂质，该第一导电类型的杂质具有比所述缓冲层(11)中的所述第一导电类型的杂质的浓度更高的浓度。

2.根据权利要求1所述的横向结型场效应晶体管，其中，

所述阻挡区(13)被布置成从平面图看与所述栅极区(17)相重叠并且延伸至所述栅极区(17)的外周端部之外，

在沿着所述阻挡区(13)的面对所述沟道层(12)的表面的方向上，在所述阻挡区(13)的外周端部与所述栅极区(17)的外周端部之间的距离不少于在位于所述栅极区(17)下方的区域中的所述沟道层(12)的厚度。

3.根据权利要求1所述的横向结型场效应晶体管，其中，

所述阻挡区(13)的厚度比在所述阻挡区与所述沟道层(12)之间引起载流子隧穿效应的厚度更厚。

4.根据权利要求1所述的横向结型场效应晶体管，其中，

所述阻挡区(13)具有的所述第一导电类型的杂质的浓度不多于在所述沟道层(12)中的所述第二导电类型的杂质的浓度。