[发明专利]支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及包括由单晶体构成的单晶晶圆及贴合在单晶晶圆上的支承基板的贴合基板、用于构成贴合基板的支承基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法。

背景技术

以往，查明了硅、碳化硅、氮化钾及氮化铝等单晶体不仅耐热性、耐电压性优良，而且具有优良的高频特性等。因此，作为用于下一代的LED装置、动力装置、高频装置等的半导体材料，公知有由上述单晶体构成的晶圆(以下，适当地简略称为单晶晶圆)(例如，专利文献1)。

上述单晶晶圆在具有优良的特性的另一面，也存在制造方法复杂、价格较高的问题。因此，公知有贴合了用于支承单晶晶圆的支承基板和薄膜状的单晶晶圆的基板、即贴合基板。作为不使用粘接剂而贴合单晶晶圆和支承基板的方法，提出有例如加热加压接合方法、向贴合面照射离子束的表面活性化接合方法、利用亲水化处理借助亲水基的接合方法等。

上述的贴合基板通过在被用作半导体材料的一侧上配置单晶晶圆，从而作为半导体装置制作用的材料发挥作用。此外，利用支承基板确保上述的贴合基板在使用上所要求的基板的厚度及强度。

专利文献1：日本特开2005-8472号公报(第4页～第6页)

在上述的以往的贴合基板上存在下述的问题。即，在烧结制造支承基板的情况下，在支承基板上形成有气孔，因此，在支承基板的表面上形成凹凸。因此，当将支承基板贴合在单晶晶圆上时，在单晶晶圆和支承基板之间形成间隙，不能使贴合面之间充分接近，从而产生了不能获得贴合强度的问题。

发明内容

因此，本发明的目的在于提供用于与单晶晶圆贴合的支承基板、即能够抑制形成在单晶晶圆和支承基板之间的间隙的支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法。

为了解决上述课题，本发明具有下述特征。首先，本发明的第1特征是作为贴合到由单晶体构成的单晶晶圆(单晶晶圆50)上的支承基板(支承基板30)，其要旨在于，上述支承基板包括由碳化硅的多晶体构成的碳化硅多晶基板(碳化硅多晶基板10)和蒸镀在碳化硅多晶基板上的覆层(覆层20)，覆层由碳化硅或者硅构成且与单晶晶圆相接触，与单晶晶圆相接触的覆层的表面的算术平均粗糙度为1nm以下。

上述的支承基板在碳化硅多晶基板和单晶晶圆之间具有由碳化硅或者硅构成的覆层。与单晶晶圆相接触的覆层的表面的算术平均粗糙度为1nm以下，因此，能够抑制在覆层和单晶晶圆之间形成间隙。

因而，支承基板能够抑制在单晶晶圆和支承基板之间形成间隙。

本发明的第2特征根据本发明的第1特征，其要旨在于，利用物理气相沉积法或者化学气相沉积法在碳化硅多晶基板上蒸镀覆层。

本发明的第3特征根据本发明的第1特征或者第2特征，其要旨在于，覆层的厚度为5μm以上。

本发明的第4特征是作为包括由单晶体构成的单晶晶圆(单晶晶圆50)和贴合在单晶晶圆上的支承基板(支承基板30)的贴合基板(贴合基板100)，其要旨在于，支承基板包括由碳化硅的多晶体构成的碳化硅多晶基板(碳化硅多晶基板10)和蒸镀在碳化硅多晶基板上的覆层(覆层20)，覆层由碳化硅或者硅构成且与单晶晶圆相接触，与单晶晶圆相接触的覆层的表面的算术平均粗糙度为1nm以下。

本发明的第5特征是作为贴合到由单晶体构成的单晶晶圆(单晶晶圆50)上的支承基板(支承基板30)的制造方法，其要旨在于，上述支承基板的制造方法包括：在由碳化硅的多晶体构成的碳化硅多晶基板(碳化硅多晶基板10)上蒸镀碳化硅或者硅的步骤(步骤S1)；和在碳化硅多晶基板上，在进行了蒸镀的面上施行研磨，使进行了蒸镀的面的算术平均粗糙度为1nm以下的步骤(步骤S2)。

本发明的第6特征是作为用于制造具有由单晶体构成的单晶晶圆(单晶晶圆50)和贴合在单晶晶圆上的支承基板(支承基板30)的贴合基板(贴合基板100)的制造方法，其要旨在于，上述贴合基板的制造方法包括：在由碳化硅的多晶体构成的碳化硅多晶基板(碳化硅多晶基板10)上蒸镀碳化硅或者硅的步骤(步骤S1)；在碳化硅多晶基板上，在进行了蒸镀的面上施行研磨，使进行了蒸镀的面的算术平均粗糙度为1nm以下的步骤(步骤S2)、使施行了研磨的面和单晶晶圆贴合的步骤(步骤S3)。

发明的效果

若采用本发明的特征，则能够提供用于与单晶晶圆贴合的支承基板、即能够抑制在单晶晶圆和支承基板之间形成间隙的支承基板、贴合基板、支承基板的制造方法及贴合基板的制造方法。

附图说明

图1是本发明的实施方式中的贴合基板的立体图。