[发明专利]用于制造半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种用于制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：

准备组合衬底(80P)，所述组合衬底(80P)具有支撑部(30)、具有单晶结构的第一碳化硅衬底(11)以及具有单晶结构的第二碳化硅衬底(12)，所述第一碳化硅衬底具有与所述支撑部相连接的第一背面、相对于所述第一背面相反的第一正面、以及连接所述第一背面和所述第一正面的第一侧面(S1)，所述第二碳化硅衬底具有与所述支撑部相连接的第二背面、相对于所述第二背面相反的第二正面、以及连接所述第二背面和所述第二正面的第二侧面(S2)，所述第二侧面被设置成使得在所述第一侧面和所述第二侧面之间形成间隙(GP)，所述间隙(GP)具有在所述第一和第二正面之间的开口(CR)；

形成用于在所述开口上方封闭所述间隙的封闭层，所述封闭层至少包括硅层；

对所述硅层进行碳化，以形成由碳化硅制成并且在所述开口上方封闭所述间隙的盖子(70)；

通过将来自所述第一和第二侧面的升华物沉积到所述盖子之上，来形成用于连接所述第一和第二侧面以便封闭所述开口的连接部；以及

在形成所述连接部的步骤之后，去除所述盖子。

2.根据权利要求1所述的用于制造半导体衬底的方法，其中，

对所述硅层进行碳化的步骤包括向所述硅层供应包含碳元素的气体的步骤。

3.根据权利要求1所述的用于制造半导体衬底的方法，其中：

形成所述封闭层的步骤包括提供碳层的步骤，以及

对所述硅层进行碳化的步骤包括用化学方法将所述硅层中包含的硅与所述碳层中包含的碳相组合的步骤。

4.根据权利要求3所述的用于制造半导体衬底的方法，其中，提供所述碳层的步骤包括沉积由碳制成的层的步骤。

5.根据权利要求3所述的用于制造半导体衬底的方法，其中，提供所述碳层的步骤包括以下步骤：

施加包含碳元素的流体；以及

碳化所述流体。

6.根据权利要求5所述的用于制造半导体衬底的方法，其中，

所述流体是包含有机物质的液体。

7.根据权利要求5所述的用于制造半导体衬底的方法，其中，

所述流体是包含碳粉的悬浮液。

8.根据权利要求1所述的用于制造半导体衬底的方法，其中，

所述支撑部由碳化硅制成。

9.根据权利要求8所述的用于制造半导体衬底的方法，进一步包括：

在具有由所述连接部封闭的所述开口的所述间隙中将来自所述支撑部的升华物沉积在所述连接部之上的步骤。

10.根据权利要求9所述的用于制造半导体衬底的方法，其中，执行将来自所述支撑部的升华物沉积在所述连接部之上的步骤，以将具有由所述连接部封闭的所述开口的所述间隙的整体移入到所述支撑部中。

11.根据权利要求1所述的用于制造半导体衬底的方法，进一步包括：

抛光所述第一和第二正面中的每一个的步骤。

12.根据权利要求1所述的用于制造半导体衬底的方法，其中，

所述第一和第二背面中的每一个是通过切片形成的表面。

13.根据权利要求1所述的用于制造半导体衬底的方法，其中，

在具有高于10^-1Pa且低于10⁴Pa的压力的气氛中执行形成所述连接部的步骤。