[发明专利]横向二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种二极管，其包含：

衬底中的用第一掺杂剂掺杂的第一掺杂区；

所述衬底中的用第二掺杂剂掺杂的第二掺杂区，所述第二掺杂剂具有与所述第一掺杂剂的极性相反的极性；

形成于所述第一掺杂区上的第一自对准硅化物部分，所述第一自对准硅化物部分由定位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的自对准硅化物阻断掩模界定；以及

形成于所述第二掺杂区上的第二自对准硅化物部分，所述第二自对准硅化物部分由所述自对准硅化物阻断掩模界定。

2.根据权利要求1所述的二极管，其中电流大体上平行于所述第一掺杂区的表面和所述第二掺杂区的表面而在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间传导。

3.根据权利要求1所述的二极管，其中没有栅极存在于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间，且没有浅沟槽隔离区位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间。

4.根据权利要求1所述的二极管，其中所述第一掺杂区由第一植入掩模界定，且所述第二掺杂区由第二植入掩模界定。

5.根据权利要求1所述的二极管，其进一步包含：

位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的第一轻度掺杂区，所述第一轻度掺杂区被用所述第一掺杂剂掺杂且邻接所述第一掺杂区；以及

位于所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间的第二轻度掺杂区，所述第二轻度掺杂区被用所述第二掺杂剂掺杂且邻接所述第二掺杂区。

6.根据权利要求5所述的二极管，其中所述第一轻度掺杂区和所述第二轻度掺杂区由植入阻断物界定。

7.根据权利要求1所述的二极管，其中所述第一掺杂剂为p型掺杂剂且所述第二掺杂剂为n型掺杂剂。

8.根据权利要求1所述的二极管，其集成到以下各者中的至少一者中：移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元和固定位置数据单元。

9.一种制造二极管的方法，其包含：

植入由第一植入掩模界定的第一掺杂区；

植入由第二植入掩模界定的第二掺杂区；

在植入所述第二掺杂区之后，在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间沉积自对准硅化物阻断物；

在沉积了所述自对准硅化物阻断物之后，在所述第一掺杂区上未由所述自对准硅化物阻断物阻断的区中形成第一自对准硅化物部分；

在沉积了所述自对准硅化物阻断物之后，在所述第二掺杂区上未由所述自对准硅化物阻断物阻断的区中形成第二自对准硅化物部分；以及

在形成所述第二自对准硅化物部分之后，剥离所述自对准硅化物阻断物。

10.根据权利要求9所述的方法，其中在不沉积栅极的情况下执行植入所述第一掺杂区和植入所述第二掺杂区。

11.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含在植入所述第一掺杂区之前，向由作用掩模界定的浅沟槽隔离区之间的衬底打开作用窗，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区位于所述作用窗中。

12.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含在植入所述第一掺杂区之前沉积阻断层，以防止在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间形成第一轻度掺杂区，且防止在所述第一掺杂区与所述第二掺杂区之间形成第二轻度掺杂区。

13.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含在植入所述第一掺杂区之前形成由作用掩模界定的浅沟槽隔离区。

14.根据权利要求9所述的方法，其中植入所述第一掺杂区包含植入p型区，且植入所述第二掺杂区包含植入n型区。

15.根据权利要求9所述的方法，其进一步包含将所述二极管集成到以下各者中的至少一者中：移动电话、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航装置、计算机、手持式个人通信系统PCS单元、便携式数据单元和固定位置数据单元。