[发明专利]用于将衬底保持在材料沉积设备中的装置有效
申请号: | 201080015151.4 | 申请日: | 2010-03-29 |
公开(公告)号: | CN102482759A | 公开(公告)日: | 2012-05-30 |
发明(设计)人: | 约翰内斯·克里内;埃尔温·艾林;卡勒-海因茨·霍豪斯;沃尔夫冈·格尔根;安德烈亚斯·洛维奇;马克·菲利彭斯;理查德·沙伊歇尔;安斯加尔·菲舍尔;马丁·穆勒 | 申请(专利权)人: | 欧司朗光电半导体有限公司 |
主分类号: | C23C14/04 | 分类号: | C23C14/04;C23C14/50 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;董文国 |
地址: | 德国雷*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 衬底 保持 材料 沉积 设备 中的 装置 | ||
1.一种用于将衬底(10)保持在材料沉积设备()中的装置,所述衬底(10)具有其上待沉积材料(M)的沉积侧(10a),并且所述装置(1)包括:
-遮蔽掩模(20),包括多个沉积开口(D1);
-支撑结构(30),包括多个环绕开口(S1);和
-用于保持所述支撑掩模(30)的支撑结构保持装置(6)和/或用于保持所述衬底(10)的衬底保持装置(5),使得所述支撑结构(30)在与所述衬底(10)的沉积侧(10a)相同的侧上,并且所述遮蔽掩模(20)位于所述衬底(10)和所述支撑结构(30)之间,使得所述遮蔽掩模(10)的至少一个沉积开口(D1)位于所述支撑结构(30)的对应环绕开口(S1)内。
2.根据权利要求1所述的装置(1),其中所述遮蔽掩模(20)的沉积开口(D1)与所述支撑结构(30)的环绕开口(S1)相连。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的装置(1),其中所述支撑结构(30)的环绕开口(S1)大于所述遮蔽掩模(20)的相连的沉积开口(D1)。
4.根据前述权利要求中任一项所述的装置(1),包括厚度为至少1.5mm的支撑结构(30)。
5.根据前述权利要求中任一项所述的装置(1),包括厚度为最多0.5mm的遮蔽掩模(20)。
6.根据前述权利要求中任一项所述的装置(1),其中所述支撑结构(30)包括磁性材料,并且所述装置(1)包括布置在所述衬底(10)的与所述沉积侧(10a)相反的侧上以对所述磁性支撑结构(30)施加磁力的磁体(70)。
7.根据前述权利要求中任一项所述的装置(1),包括框(4),所述框(4)包括所述衬底保持装置(5)和/或所述支撑结构保持装置(6)。
8.根据前述权利要求中任一项所述的装置(1),其中遮蔽掩模(20)和/或支撑结构(30)的所述开口(D1、S1)包括激光切割的开口(D1、S1)和/或光化学蚀刻的开口(D1、S1)和/或机械切割的开口(D1、S1)。
9.根据前述权利要求中任一项所述的装置(1),其中,在材料沉积过程中,所述遮蔽掩模(20)在水平上位于所述衬底(10)的所述沉积面(10a)下方,并且所述支撑结构(30)在水平上位于所述遮蔽掩模(20)下方。
10.根据前述权利要求中任一项所述的装置(1),其中所述支撑结构(30)包括支撑掩模或支撑杆。
11.根据前述权利要求中任一项所述的装置(1),其中所述衬底(10)、遮蔽掩模(20)和支撑结构(30)相互直接接触。
12.根据前述权利要求中任一项所述的装置(1),其中所述支撑结构包括磁性材料,并且其中磁体位于所述衬底的非沉积侧上以对所述支撑结构施加磁力。
13.一种材料沉积设备(50),包括根据权利要求1至12中任一项所述的用于保持衬底(10)的装置(1)。
14.一种将:
-衬底(10),包括其上待沉积材料(M)的沉积侧(10a);
-遮蔽掩模(10),包括多个沉积开口(D1);和
-支撑结构(30),包括多个环绕开口(S1);
布置在材料沉积设备(50)中的方法,所述方法包括:使所述遮蔽掩模(20)和所述支撑结构(30)相对于所述衬底(10)定位,使得所述支撑结构(30)在与所述衬底(10)的沉积侧(10a)相同的侧上,并且使所述遮蔽掩模(20)位于所述衬底(10)和所述支撑结构(30)之间,使得所述遮蔽掩模(20)的至少一个沉积开口(D1)位于所述支撑结构(30)的对应环绕开口(S1)内。
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