[发明专利]太阳能电池装置和太阳能电池装置制造方法

权利要求书

1.一种具有由化合物半导体形成的光电转换层的太阳能电池装置，所述太阳能电池装置包括：

设置绝缘层的金属基板，所述设置绝缘层的金属基板由金属基板和多孔Al阳极氧化膜构成，所述金属基板由基底材料和Al材料形成，所述基底材料由与Al相比具有较高刚度、较高耐热性和较小线性热膨胀系数的金属形成，所述Al材料通过压力粘结与所述基底材料的至少一个表面成一体，并且所述多孔Al阳极氧化膜作为电绝缘层形成在所述金属基板的Al材料的表面上；和

光电转换电路，所述光电转换电路包括所述光电转换层、上电极和下电极，所述上电极和所述下电极分别设置在所述光电转换层的上侧和下侧，所述光电转换电路形成在设置绝缘层的金属基板上。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池装置，其中，所述基底材料的金属是钢材料或Ti材料。

3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池装置，其中，所述光电转换电路是由多个元件形成的电路，所述多个元件通过由多个沟槽分隔所述光电转换层而提供并且被串联电连接。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的太阳能电池装置，其中，所述基底材料与所述光电转换层之间的线性热膨胀系数的差值小于7×10^-6/℃。

5.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池装置，其中，所述光电转换层的主要成分为具有黄铜矿结构的至少一种化合物半导体。

6.根据权利要求5所述的太阳能电池装置，其中：

所述基底材料是碳钢材料、铁素体不锈钢材料或Ti材料；

所述下电极由Mo形成；以及

所述光电转换层的主要成分为由Ib族元素、IIIb族元素和VIb族元素形成的至少一种化合物半导体。

7.根据权利要求6所述的太阳能电池装置，其中：

Ib族元素是选自由Cu和Ag构成的组的至少一种元素；

IIIb族元素是选自由Al、Ga和In构成的组的至少一种元素；以及

VIb族元素是选自由S、Se和Te构成的组的至少一种元素。

8.根据权利要求1-4中任一项所述的太阳能电池装置，其中：

所述基底材料是碳钢材料、铁素体不锈钢材料或Ti材料；以及

所述光电转换层的主要成分为CdTe化合物半导体。

9.一种制造太阳能电池装置的方法，包括以下步骤：

提供由金属基板和多孔Al阳极氧化膜构成的设置绝缘层的金属基板，所述金属基板由基底材料和Al材料形成，所述基底材料由与Al相比具有较高刚度、高耐热性和较小线性热膨胀系数的金属形成，所述Al材料通过压力粘结与所述基底材料的至少一个表面成一体，并且多孔Al阳极氧化膜作为电绝缘层形成在所述金属基板的Al材料的表面上；以及

在不小于500℃的成膜温度下将由化合物半导体形成的光电转换层形成在所述设置绝缘层的金属基板上。