[发明专利]电子图像检测装置

权利要求书

1.一种电子图像检测装置，包括：

在绝缘层(22)的第一表面上的多个金属电极(24)；以及

非晶硅区域(26，34)，所述非晶硅区域在所述绝缘层上延伸于所述金属电极之间。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述非晶硅(26，34)是被氢化的。

3.如权利要求1或2所述的装置，其中所述非晶硅(26，34)是近本征非晶硅。

4.如权利要求1到3中任一项所述的装置，其中在所述绝缘层(12)中形成位于所述金属电极之间的槽(32)。

5.如权利要求1到4中任一项所述的装置，其中在所述绝缘层(22)的第二表面上提供面对至少一个非晶硅区域的至少一个栅电极(28)，所述至少一个栅电极能够连接到偏压源(V_G)。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述栅电极(28)部分地面对所述金属电极(24)延伸。

7.如权利要求1到6中任一项所述的装置，其中所述非晶硅(26，34)的厚度范围在2nm至500nm之间、优选地在10nm至100nm之间。

8.如权利要求1到7中任一项所述的装置，其中所述金属电极(24)以大致1μm的距离分开。

9.如权利要求1到8中任一项所述的装置，其中所述金属电极(24)由铝制成。

10.如权利要求1到9中任一项所述的装置，其中所述绝缘层(22)在其第二表面侧与支撑件(20)接触，所述支撑件(20)由在半导体衬底(40)上延伸的互连层的层叠体(42)形成。

11.如权利要求10所述的装置，其中所述金属电极(24)通过形成在所述互连层的层叠体(42)中的导电过孔连接到在所述半导体衬底(40)中形成的电子元件。

12.一种包括光阴极(56)、微通道板(60)和如权利要求1到11中任一项所述的电子图像检测装置(64)的图像传感器。