[发明专利]金属复合体及其组合物

说明书

技术领域

本发明涉及金属复合体及其组合物。

背景技术

含有金属和有机化合物的材料作为电子元件的电极的材料是有用的，因此近年来备受注目。作为含有金属和有机化合物的材料，可举出将金属和有机化合物复合化的金属复合体、混合金属复合体和有机化合物的组合物。具体而言，在Nano letters，2008，2，689-692中，提出了作为该金属复合体，使用将吸附有聚乙烯吡咯烷酮的银纳米线分散在水、甲醇等极性溶剂中而成的分散液，通过涂布法制作电极。

发明内容

但是，根据构成电子元件的电极以外的层、基板的种类，有时作为用于涂布法的分散介质，使用非极性溶剂时。此时，吸附有聚乙烯吡咯烷酮的银纳米线在非极性溶剂中不分散而发生凝聚，存在不能使用的问题，另外，对于上述银纳米线，还要求其导电性或者电荷注入性进一步提高。

因此，本发明的目的在于，提供一种在非极性溶剂中的分散性优异，也能适用于使用非极性溶剂的涂布法，导电性、电荷注入性优异的金属复合体及其组合物。

本发明提供一种分子量200以上的共轭化合物吸附于纵横比1.5以上的金属纳米结构体而成的金属复合体及其制造方法。这里，作为分子量200以上的共轭化合物，优选具有下述式(I)所表示的基团、或者下述式(II)所表示的重复单元或它们两者的化合物。

(式中，Ar¹是(n¹+1)价的芳香族基团，R¹是直接键合或(m¹+1)价的基团，X¹是含有杂原子的基团。m¹和n¹相同或相异，为1以上的整数。R¹、X¹和m¹存在多个时，它们可以分别相同或不同。)

(式中，Ar²是(n²+2)价的芳香族基团，R²是直接键合或(m²+1)价的基团，X²是含有杂原子的基团。m²和n²相同或相异，为1以上的整数。R²、X²和m²存在多个时，它们可以分别相同或不同。)

另外，本发明提供含有上述金属复合体和分子量200以上的共轭化合物的组合物。

进而，本发明提供含有上述金属复合体的电极材料、电子元件和层叠结构体。

本发明提供将上述金属复合体或组合物作为阴极材料的发光元件和光电转换元件。

本发明还提供，具有1个以上下述式(III)所表示的结构，具有上述式(II)所表示的重复单元和/或下述式(IV)所表示的重复单元和/或下述式(V)所表示的重复单元的共轭化合物。

式中，Ar³、Ar⁴和Ar⁵表示芳香族基团。Y表示直接键合、可以被取代的亚乙烯基、亚乙炔基或可以被取代的甲亚胺基。l为0～2的整数。R³表示可以被取代的烃基。

附图说明

图1是实施例1中得到的复合体A、合成例1中得到的银纳米结构体A的基于X射线光电子分光法测得的N1s光谱图。

图2是实施例1中得到的复合体A、合成例1中得到的银纳米结构体A的基于X射线光电子分光法测得的S2p光谱图。

图3是实施例2中得到的复合体B、合成例1中得到的银纳米结构体A的基于X射线光电子分光法测得的N1s光谱图。

图4是实施例2中得到的复合体B、合成例1中得到的银纳米结构体A的基于X射线光电子分光法测得的O1s光谱图。

图5是实施例3中得到的复合体C、合成例1中得到的银纳米结构体A的基于X射线光电子分光法测得的Cs3d5光谱图。

图6是实施例4中得到的复合体D、合成例1中得到的银纳米结构体A的基于X射线光电子分光法测得的N1s光谱图。

图7是实施例4中得到的复合体D、合成例1中得到的银纳米结构体A的基于X射线光电子分光法测得的S2p光谱图。

图8是实施例6中得到的复合体E、实施例8中得到的复合体F、合成例1中得到的银纳米结构体A的基于X射线光电子分光法测得的O1s光谱图。

具体实施方式

以下，对本发明进行说明。