[发明专利]制造半导体衬底的方法

权利要求书

1.一种制造半导体衬底的方法，包括以下步骤：

准备具有第一和第二碳化硅衬底(11，12)的多个碳化硅衬底(10)以及支撑部(30)，所述第一碳化硅衬底具有面对所述支撑部并且位于一个平面(PL1)上的第一背面、相对于所述第一背面相反的第一正面、以及将所述第一背面和所述第一正面彼此连接的第一侧面，所述第二碳化硅衬底具有面对所述支撑部并且位于所述一个平面上的第二背面、相对于所述第二背面相反的第二正面、以及将所述第二背面和所述第二正面彼此连接的第二侧面，所述第二侧面被布置成使得在所述第二侧面和所述第一侧面之间形成间隙(GP)，所述间隙(GP)具有在所述第一和第二正面之间的开口；以及

加热所述支撑部以及所述第一和第二碳化硅衬底，以从所述第一和第二侧面产生升华物，并由此形成封闭所述开口的接合部，

所述的加热步骤包括以下步骤：

将第一辐射平面(RP1)的温度设定成第一温度，在垂直于所述一个平面并且远离所述支撑部的方向上从所述多个碳化硅衬底延伸的第一空间(SP1)中，所述第一辐射平面面对所述多个碳化硅衬底，

将第二辐射平面(RP2)的温度设定成高于所述第一温度的第二温度，在垂直于所述一个平面并且远离所述多个碳化硅衬底的方向上从所述支撑部延伸的第二空间(SP2)中，所述第二辐射平面面对所述支撑部，以及

将第三辐射平面(RP3)的温度设定成低于所述第二温度的第三温度，在沿着所述一个平面从所述间隙延伸的第三空间(SP3)中，所述第三辐射平面面对所述多个碳化硅衬底。

2.根据权利要求1所述的制造半导体衬底的方法，其中，

所述第三温度低于所述第一温度。

3.根据权利要求1所述的制造半导体衬底的方法，其中，

通过准备具有所述支撑部以及所述第一和第二碳化硅衬底的组合衬底来执行所述的准备所述多个碳化硅衬底和所述支撑部的步骤，并且所述组合衬底的每个所述第一和第二背面被接合到所述支撑部。

4.根据权利要求1所述的制造半导体衬底的方法，还包括将所述第一和第二背面中的每个接合到所述支撑部的步骤，

其中，与形成所述接合部的步骤同时地执行所述的接合每个所述第一和第二背面的步骤。

5.根据权利要求1所述的制造半导体衬底的方法，其中，

所述支撑部由碳化硅构成。

6.根据权利要求5所述的制造半导体衬底的方法，还包括以下步骤：

在具有由所述接合部封闭的所述开口的所述间隙中，将来自所述支撑部的升华物沉积在所述接合部上。

7.根据权利要求6所述的制造半导体衬底的方法，其中，

执行所述的将来自所述支撑部的升华物沉积在所述接合部上的步骤，以使得具有由所述接合部封闭的所述开口的所述间隙以整体移入到所述支撑部中。

8.根据权利要求1所述的制造半导体衬底的方法，其中，

利用布置在所述第三空间外部的热源来执行所述的加热步骤。

9.根据权利要求8所述的制造半导体衬底的方法，其中，

所述热源被布置在通过所述第三空间彼此分开的各空间之中的包含有所述支撑部的空间中。

10.根据权利要求1所述的制造半导体衬底的方法，其中，

形成所述第三辐射平面的材料的热导率低于形成所述第二辐射平面的材料的热导率。

11.根据权利要求10所述的制造半导体衬底的方法，其中，

形成所述第三辐射平面的材料的热导率低于形成所述第一辐射平面的材料的热导率。

12.根据权利要求1所述的制造半导体衬底的方法，其中，

利用分别布置在所述第一至第三空间中的第一至第三发热元件来执行所述的加热步骤。

13.根据权利要求12所述的制造半导体衬底的方法，其中，

相互独立地控制所述第一至第三发热元件。

14.根据权利要求1所述的制造半导体衬底的方法，其中，

所述第一和第二正面(F1，F2)中的每个是被抛光的表面。

15.根据权利要求1所述的制造半导体衬底的方法，其中，

所述第一和第二背面(B1，B2)中的每个是通过切片形成的表面。

16.根据权利要求1所述的制造半导体衬底(80)的方法，其中，

在具有高于10^-1Pa且低于10⁴Pa的的压力的气氛中，执行所述的加热步骤。