[发明专利]In-Ga-Zn系氧化物、氧化物烧结体以及溅射靶

权利要求书

1.一种氧化物，其含有铟元素In、镓元素Ga以及锌元素Zn，

通过X射线衍射测定(Cukα射线)，在入射角2θ为7.0°～8.4°、30.6°～32.0°、33.8°～35.8°、53.5°～56.5°以及56.5°～59.5°的各位置处能观测到衍射峰，

并且，在2θ为30.6°～32.0°以及33.8°～35.8°的位置处观测到的衍射峰中的一个为主峰，其他为副峰。

2.根据权利要求1所述的氧化物，其中，铟元素In、镓元素Ga以及锌元素Zn的原子比满足下述式(1)以及(2)，

0.45≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.60(1)

0.21≤Ga/(In+Ga)≤0.29(2)。

3.根据权利要求1或2所述的氧化物，其中，含有的金属元素实质上为In、Ga以及Zn。

4.一种氧化物烧结体，其含有权利要求1～3中任一项所述的氧化物。

5.根据权利要求4所述的氧化物烧结体，其中，铟元素In、镓元素Ga以及锌元素Zn的原子比满足下述式(1’)以及(2’)，

0.15≤Zn/(In+Ga+Zn)≤0.65(1’)

0.05＜Ga/(In+Ga)＜0.45(2’)。

6.一种溅射靶，其由权利要求4或5所述的氧化物烧结体构成。

7.一种氧化物薄膜，其使用权利要求6所述的溅射靶而制成。

8.一种权利要求6所述的溅射靶的制造方法，包括下述(a)～(c)的工序，

(a)形成厚度为5.5mm以上的成形体的工序；

(b)在1380℃以上且1520℃以下烧结4～24小时的工序；和

(c)对成形体进行烧结后，将单面或双面磨削0.1mm以上的工序。