[发明专利]半导体基板的电气特性的测量方法

权利要求书

1.一种测量方法，是用于测量具有基底基板和在所述基底基板上设置的缓冲层的半导体基板中的漏电流或绝缘击穿电压的测量方法，具有：

在所述缓冲层设置含有由被施加电场时在所述缓冲层注入空穴的材料组成的空穴注入电极的多个电极的步骤；

测量对从所述多个电极选择出的含有至少一个所述空穴注入电极的第1一对电极施加了电压或电流时在所述第1一对电极中流动的电流或所述第1一对电极间的电压的步骤；以及

根据在所述第1一对电极中流动的电流或所述第1一对电极间的电压，测量所述半导体基板中的空穴的移动所致的漏电流或绝缘击穿电压的步骤。

2.根据权利要求1所述的测量方法，其中，还具有：

在所述缓冲层设置包含电子注入电极的多个电极的步骤，该电子注入电极是由当被施加电场时注入电子到所述缓冲层的材料构成的电子注入电极；

测量对从所述多个电极选择出的含有至少一个所述电子注入电极的第2一对电极施加了电压或电流时在所述第2一对电极中流动的电流或所述第2一对电极间的电压的步骤；以及

根据在所述第2一对电极中流动的电流或所述第2一对电极间的电压，测量所述半导体基板中的电子的移动所致的漏电流或绝缘击穿电压的步骤。

3.根据权利要求1所述的测量方法，其中，

在测量空穴的移动所致的漏电流或绝缘击穿电压的步骤中，将预先规定了大小的电流在所述第1一对电极上流动时的所述第1一对电极中的各电极间的电压，设为空穴的移动所致的所述绝缘击穿电压。

4.根据权利要求1所述的测量方法，其中，

在测量空穴的移动所致的漏电流或绝缘击穿电压的步骤中，在所述第1一对电极间的电压为预先规定的大小时，将在所述第1一对电极中流动的电流的大小设为所述漏电流。

5.根据权利要求2所述的测量方法，其中，

所述空穴注入电极对P型3-5族化合物半导体注入空穴，所述电子注入电极对N型3-5族化合物半导体注入电子。

6.根据权利要求1所述的测量方法，其中，

所述半导体基板具有在所述缓冲层上形成场效应晶体管的多层半导体层。

7.根据权利要求6所述的测量方法，其中，

还具有将所述多层半导体层的至少一部分除去，使所述缓冲层的至少一部分表面露出的步骤，

在设置含有所述空穴注入电极的多个电极的步骤中，在所述露出的所述缓冲层设置含有所述空穴注入电极的多个电极。

8.根据权利要求7所述的测量方法，其中，还具有：

在所述露出的所述缓冲层设置包含电子注入电极的多个电极的步骤，该电子注入电极由在被施加电场时对所述缓冲层注入电子的材料构成；

测量对从所述多个电极选择出的含有至少一个所述电子注入电极的第2一对电极之间施加电压或电流时在所述第2一对电极中流动的电流或所述第2一对电极间的电压的步骤；以及

根据所述第2一对电极中流动的电流或所述第2一对电极间的电压，测量所述半导体基板中电子的移动所致的漏电流或绝缘击穿电压的步骤。

9.根据权利要求1所述的测量方法，其中，

在设置含有所述空穴注入电极的多个电极的步骤中，将含有以在所述缓冲层中成为受体杂质的原子作为构成要素的单体或化合物的材料配置在所述缓冲层表面之后，将所述缓冲层加热。

10.根据权利要求2所述的测量方法，其中，

在设置含有所述电子注入电极的多个电极的步骤中，将含有以在所述缓冲层中成为施主杂质的原子作为构成要素的单体或化合物的材料配置在所述缓冲层表面之后，加热所述缓冲层。

11.根据权利要求1所述的测量方法，其中，

在测量所述第1一对电极中流动的电流或所述第1一对电极间的电压的步骤中，对所述第1一对电极之间施加直流电压或直流电流。

12.根据权利要求1所述的测量方法，其中，

所述空穴注入电极包含AuZn、AuNi、AuCr、Ti/Pt/Au、Ti/WSi中的至少一种。

13.一种测量方法，是测量半导体基板中的漏电流或绝缘击穿电压的测量方法，

该半导体基板具有基底基板、在所述基底基板上设置的含N型3-5族化合物半导体的缓冲层、以及被设置在所述缓冲层上且形成场效应晶体管的多层半导体层，该方法具有：

将所述多层半导体层的至少一部分除去，而使所述缓冲层的至少一部分表面露出的步骤；

在所述缓冲层设置含有由被施加电场时对所述N型3-5族化合物半导体注入电子的材料构成的电子注入电极的多个电极的步骤；

测量对从所述多个电极选择出的含有至少一个所述电子注入电极的一对电极之间施加电压或电流时在所述一对电极中流动的电流或所述一对电极间的电压的步骤；以及

基于所述一对电极中流动的电流或所述一对电极间的电压，测量所述半导体基板中的电子的移动所致的漏电流或绝缘击穿电压的步骤。