[发明专利]半导体集成电路装置以及安装了它的IC卡

权利要求书

1.一种半导体集成电路装置，具备：与天线连接的天线端子；根据从上述天线供给到上述天线端子的交流信号生成电源电压的电源电路；以及根据重叠在上述交流信号上的信息信号来解调上述信息信号的接收电路，该半导体集成电路装置的特征在于，

上述接收电路包括：整流电路、滤波电路、电容、放大器、反馈路径、开关电路、二值化电路以及控制电路，

上述整流电路对供给到上述天线端子的上述交流信号进行整流并平滑化，

上述整流电路的输出信号供给到减少高频分量的上述滤波电路的输入端，

上述滤波电路的输出信号经由上述电容而供给到上述放大器的反转输入端子，

上述放大器具有关于第1基准电压将供给到上述反转输入端子的输入信号反转放大的功能，

上述放大器的输出信号能够经由上述反馈路径和上述开关电路传送到上述反转输入端子，

上述开关电路能够通过上述控制电路的输出信号进行控制，

上述二值化电路对上述放大器的上述输出信号进行二值化，

在从上述二值化电路的输出信号的电平变化开始经过规定的时间的期间，上述开关电路通过上述控制电路的上述输出信号控制成断开状态。

2.根据权利要求1所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

通过在经过上述规定的时间的期间将上述开关电路控制为上述断开状态，上述反馈路径将上述放大器的上述反转输入端子和生成上述输出信号的输出端子中的至少某一方的端子电气地分离。

3.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

上述反馈路径包括反方向地连接的两个二极管元件。

4.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

包括在上述放大器的上述反转输入端子与生成上述输出信号的上述输出端子之间生成电压降的电压降元件。

5.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

能够对上述控制电路供给控制信号，能够通过上述控制信号可变地设定经过上述规定的时间的上述期间。

6.根据权利要求2所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

上述接收电路还包括判定电路，

上述判定电路根据上述二值化电路的上述输出信号判定重叠在上述交流信号上的上述信息信号的通信速度的大小，

从上述判定电路向上述控制电路供给作为上述判定电路的判定结果的上述控制信号，能够对上述控制信号进行响应而可变地设定经过上述规定的时间的上述期间。

7.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

上述反馈路径的上述二极管元件由PN接合的二极管构成。

8.根据权利要求3所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

上述反馈路径的上述二极管元件由P沟道MOS晶体管和N沟道MOS晶体管构成。

9.根据权利要求4所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

上述反馈路径的上述电压降元件由电阻构成。

10.根据权利要求1至9中任意一项所述的半导体集成电路装置，其特征在于，

上述放大器为运算放大器，上述第1基准电压供给到上述运算放大器的非反转输入端子。