[发明专利]具有自对准垂直LDD和背面漏极的LDMOS

权利要求书

1.一种场效应晶体管，包括：

第一导电类型的半导体区，具有上表面和下表面，所述半导体区的所述下表面在衬底上延伸并且与所述衬底邻接；

第二导电类型的阱区，设置在所述半导体区内；

所述第一导电类型的源区，设置在所述阱区中；

栅电极，在每个阱区上延伸并且与对应的一个所述源区重叠，每个栅电极通过栅极电介质与下层阱区绝缘；

所述第一半导体类型的至少一个LDD区，设置在每两个邻近阱区之间的半导体区中，使得所述至少一个LDD区与之间设置所述至少一个LDD区的所述两个邻近阱区相接触；以及

下沉区，设置在所述至少一个LDD区正下方的所述半导体区中，使得所述至少一个LDD区和所述下沉区在所述半导体区的上下表面之间沿着垂直方向设置，所述下沉区具有比所述至少一个LDD区高的掺杂浓度。

2.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述至少一个LDD区自对准之间设置所述至少一个LDD区的栅电极。

3.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述下沉区完全嵌入在所述半导体区中，以使得所述下沉区不会到达所述半导体区的所述上表面。

4.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述半导体区包括两个以上外延层。

5.根据权利要求4所述的场效应晶体管，其中，所述半导体区包括具有不同掺杂浓度的上外延层和下外延层。

6.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述下沉区的一部分在所述栅电极正下方的所述半导体区中横向延伸。

7.根据权利要求1所述的场效应晶体管，其中，所述至少一个LDD区形成上LDD区，所述场效应晶体管进一步包括所述第一导电类型的下LDD区，所述下LDD区设置在所述上LDD区正下方和所述下沉区正上方的半导体区中。

8.根据权利要求7所述的场效应晶体管，其中，所述下LDD区具有比所述上LDD区高的掺杂浓度，并且自对准之间设置所述下LDD区的栅电极。

9.一种场效应晶体管，包括：

第一导电类型的半导体区，具有上表面和下表面，所述半导体区的所述下表面在衬底上延伸并且邻接所述衬底；

第二导电类型的阱区，设置在所述半导体区内；

所述第一导电类型的源区，设置在所述阱区中；

栅电极，在所述阱区上延伸并与所述源区重叠，所述栅电极通过栅极电介质与所述阱区绝缘；

所述第一导电类型的上LDD区，设置在所述半导体区中，邻近所述阱区并与所述阱区接触，所述上LDD区自对准所述栅电极；

所述第一导电类型的下LDD区，设置在所述半导体区中，在所述上LDD区正下方但是与所述上LDD区接触，所述下LDD区自对准所述栅电极；以及

下沉区，设置在所述半导体区中，在所述下LDD区正下方但与所述下LDD区接触，使得上、下LDD区以及所述下沉区在所述半导体区的上、下表面之间沿着垂直方向设置，所述下沉区具有比所述上、下LDD区高的掺杂浓度。

10.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中，所述下沉区完全嵌入在所述半导体区中，使得所述下沉区不会到达所述半导体区的所述上表面。

11.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中，所述半导体区包括上外延层和下外延层，所述上外延层具有比所述下外延层低的掺杂浓度，所述下外延层具有比所述衬底低的掺杂浓度。

12.根据权利要求11所述的场效应晶体管，其中，所述下沉区延伸通过上、下外延层，并且所述上、下LDD区均仅在所述上外延层之中延伸。

13.根据权利要求9所述的场效应晶体管，其中，所述下沉区的一部分在所述栅电极正下方的所述半导体区中横向延伸。