[发明专利]特征在于锥形沉积室中密度优化的HULA衬底支架的剥离沉积系统

权利要求书

1.一种使用剥离工艺通过蒸发将材料沉积在衬底上的设备，所述设备包括：

锥形外壳，该锥形外壳具有圆顶、底部开口和从圆顶朝向底部开口收敛的侧壁；

蒸发源，该蒸发源邻近所述底部开口定位并与延伸通过圆顶的中心点的第一轴对准；

位于蒸发源上方并邻近圆顶的中央穹顶状件，该中央穹顶状件具有与第一轴对准的中心点，其中该中央穹顶状件绕中心点旋转；

一个或多个轨道穹顶状件，所述轨道穹顶状件位于蒸发源上方并邻近圆顶且处于距圆顶中心点恒定半径处，其中一个或多个穹顶状件绕第一轴旋转，及其中每一轨道穹顶状件同时绕延伸通过该轨道穹顶状件的中心点的第二轴旋转，一个或多个轨道穹顶状件的直径和凹面均与中央穹顶状件相等；

位于蒸发源和中央穹顶状件之间的均匀性掩模，该均匀性掩模操作上保证仅与中央穹顶状件一起使用；及

一个或多个晶片接收位置，位于一个或多个轨道穹顶状件和中央穹顶状件中的每一个内，用于在其中接收晶片。

2.根据权利要求1的设备，其中一个或多个晶片接收位置与蒸发源正交。

3.根据权利要求1的设备，还包括定位一个或多个轨道穹顶状件和中央穹顶状件并使其绕第一轴旋转的支撑结构。

4.根据权利要求3的设备，其中所述支撑结构定位一个或多个轨道穹顶状件和中央穹顶状件，其中由一个或多个轨道穹顶状件和中央穹顶状件形成的弧线与其中心在第一轴上且位于蒸发源处的球体的圆周一致。

5.根据权利要求3的设备，其中所述支撑结构包括使一个或多个轨道穹顶状件绕其各自的第二轴旋转的驱动系统。

6.根据权利要求1的设备，其中一个或多个轨道穹顶状件等于六个轨道穹顶状件。

7.一种使用剥离工艺的气相沉积装置，该装置包括：

蒸发源；

安装成绕通过蒸发源的第一轴旋转的空间框架；

安装到所述空间框架上的中央穹顶状晶片支架，其中中央穹顶状晶片支架的中心点与所述第一轴对准；

安装到所述空间框架上的轨道穹顶状晶片支架，轨道穹顶状晶片支架处于偏离第一轴的位置并可绕通过该轨道穹顶状晶片支架的中心点和蒸发源的第二轴旋转；及

中央穹顶状晶片支架和轨道穹顶状晶片支架上的多个晶片位置，其中每一晶片位置均偏离第一轴和第二轴，多个晶片位置中的每一个构造成将安装于其中的晶片的衬底表面定向成在绕第一轴和第二轴旋转期间与从晶片位置延伸到蒸发源的径向轴正交。

8.根据权利要求7的装置，还包括具有圆顶、底部开口和从圆顶朝向底部开口收敛的侧壁的锥形外壳，该锥形外壳包围邻近底部开口的蒸发源和邻近圆顶的空间框架、中央穹顶状晶片支架及轨道穹顶状晶片支架。

9.根据权利要求7的装置，其中所述空间框架包括使中央穹顶状晶片支架和轨道穹顶状晶片支架绕第一轴及使轨道穹顶状晶片支架绕第二轴旋转的驱动系统。

10.根据权利要求7的装置，其中所述中央穹顶状晶片支架和轨道穹顶状晶片支架关于蒸发源具有恒定的半径。

11.根据权利要求7的装置，其中多个晶片位置中的每一个为晶片接收开口。

12.一种使用剥离工艺的气相沉积装置，包括：

蒸发源；

用于定位一个或多个晶片的中央装置，其中一个或多个晶片中的每一个的中心与蒸发源等距，用于定位的装置使一个或多个晶片绕通过蒸发源的第一轴旋转；

用于定位一个或多个晶片且偏离所述中央装置的轨道装置，其中用于定位的轨道装置的一个或多个晶片中的每一个的中心与蒸发源等距，用于定位的轨道装置使一个或多个晶片绕通过蒸发源的第二轴旋转；及

用于使所述中央装置和所述轨道装置绕第一轴旋转及使所述轨道装置绕第二轴旋转的装置。

13.根据权利要求12的装置，其中用于定位的中央装置、用于定位的轨道装置和用于旋转的装置使一个或多个晶片同时绕第一轴和第二轴旋转。