[发明专利]制造碳化硅衬底的方法无效
| 申请号： | 201080016844.5 | 申请日： | 2010-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102395715A | 公开（公告）日： | 2012-03-28 |
| 发明（设计）人： | 西口太郎;佐佐木信;原田真;冲田恭子;井上博挥;藤原伸介;并川靖生 | 申请（专利权）人： | 住友电气工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B33/06 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 孙志湧;穆德骏 |
| 地址： | 日本大阪*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 碳化硅 衬底 方法 | ||
1.一种制造碳化硅衬底的方法，包括以下步骤：
准备至少一个单晶衬底(11)和支撑部(30)，每个所述单晶衬底(11)具有背面(B1)并且由碳化硅制成，所述支撑部(30)具有主面(F0)并且由碳化硅制成，所述准备步骤包括通过机械加工形成所述背面和所述主面中的至少一个的步骤，并且通过所述形成步骤在所述背面和所述主面中的至少一个上形成晶体结构中具有畸变的表面层，所述方法还包括以下步骤：
至少部分地去除所述表面层；以及
在所述的去除步骤之后，将所述背面和所述主面彼此连接。
2.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
通过所述表面层的升华来执行所述的去除步骤。
3.根据权利要求2所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
在所述的准备步骤中，在所述背面形成所述表面层，
在所述的去除步骤中，至少部分地去除在所述背面形成的所述表面层。
4.根据权利要求3所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
所述的去除步骤包括以下步骤：在所述的升华步骤之前，将所述背面和所述主面布置成彼此面对。
5.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
通过牺牲氧化来执行所述的去除步骤。
6.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
通过化学方法来执行所述的去除步骤。
7.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
执行所述的去除步骤，以使得所述表面层被完全去除。
8.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
在所述背面和所述主面之间，通过使来自所述主面的碳化硅升华并且在所述背面上使碳化硅再结晶来执行所述的连接步骤。
9.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
所述至少一个单晶衬底包括多个单晶衬底。
10.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
通过蚀刻所述表面层来执行所述的去除步骤。
11.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
所述的准备步骤包括机械地抛光所述背面的步骤。
12.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
所述的准备步骤包括通过切片来形成所述背面的步骤。
13.根据权利要求1所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
所述至少一个碳化硅衬底包括第一单晶衬底，所述第一单晶衬底具有相对于所述背面相反的第一表面，
所述第一表面相对于{0001}面具有大于或等于50°且小于或等于65°的偏离角。
14.根据权利要求13所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
所述第一表面的偏离取向与所述第一单晶衬底的<1-100>方向之间的角度小于或等于5°。
15.根据权利要求14所述的制造碳化硅衬底的方法，其中，
在所述第一单晶衬底的<1-100>方向上，所述第一表面相对于{03-38}面具有大于或等于-3°且小于或等于5°的偏离角。
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