[发明专利]溅射靶材料、其制备方法、及使用其制备的薄膜

说明书

[对相关申请的交叉引用]

本申请要求在2009年2月25日提交的日本专利申请2009-41817的优先权，该日本专利申请的全部内容通过引用结合在此。

[技术领域]

本发明涉及一种用于制备垂直磁记录介质的Ni-W-Cr合金中间层膜的溅射靶材料，其方法以及用其制备的薄膜。

[背景技术]

近年来，磁记录技术已经有了显著的进步，并且在磁记录介质中的记录密度的提高由于增加驱动器容量而进展。然而，在世界上常规地用于纵向磁记录系统的磁记录介质中，对实现高记录密度的尝试使得记录位微细化，这需要高的矫磁力到这样的程度，以致所述记录位无法进行记录。鉴于此，研究了垂直磁记录系统作为解决这些问题以及提高记录密度的手段。

垂直磁记录系统是一种在与垂直磁记录介质的磁膜的介质表面垂直的方向上取向的易磁化轴，并且其适用于高记录密度。另外，对于垂直磁记录系统，开发了具有记录灵敏度提高的磁记录膜层、软磁膜层和中间层的多层记录介质。CoCrPt-SiO₂-系合金等通常用于此磁记录膜层，而Co-Zr-Nb-系合金等用于软磁膜层。所述软磁膜层在使来自磁头的记录磁场循环中起一定的作用，因而具有提高读/写效率的作用。同时，在此描述的中间层通常是指为了使磁记录膜层中的晶粒微细化以及对于晶体取向赋予各向异性的目的而提供的层。

尽管已经提出了多种Ni-系合金、Ta-系合金、Pd-系合金、Ru-系合金等用于中间层，然而，Ni-W-系合金在近年来得到了广泛的应用。中间层的作用之一是控制磁记录膜层的结构。为此目的，据认为重要的是具有结晶性和使晶粒微细化。例如，如日本专利公开公布2007-179598(专利文献1)中所公开的，提出了了Ru中间层的实例。

另外，就目前所关心的Ni-W-系合金，认为薄膜的晶格常数在约3.53 to3.61(x10^-10m)的范围内是令人满意的。

[发明概述]

然而，虽然使用Ni-W-系薄膜作为中间层制备垂直磁记录介质可以提供良好的记录性能，然而，需要将记录位微细化以获得更高的记录密度，为此迫使将在磁记录膜的形成过程中充当底层的Ni-W-系中间层中的晶粒微细化。到目前为止我们的分析揭示了添加B等对于所述微细化是有效的，而另一方面这陷入了结晶性受损而引起了在保持磁记录膜的取向方面的问题。

本发明人现在发现的是，将Cr添加到Ni-W-系合金中使得在中间层中的晶粒保持结晶性的同时显著微细化。

因此，本发明的目的是提供一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料，其中将Cr添加到Ni-W-系合金中使得中间层中的晶粒能够在保持结晶性的同时显著微细化；一种用于制备所述靶材料的方法；以及使用所述靶材料或通过所述制备方法制备的薄膜。

根据本发明的，提供了一种用于制备垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料，其中所述溅射靶材料由Ni-W-Cr合金制成，所述Ni-W-Cr合金包含以原子％计的下列各项：

1至20％的W；

1至20％的Cr；和

余量的Ni。

根据本发明，还提供了一种制备用于垂直磁记录介质的中间层膜的溅射靶材料的方法，其中所述方法包括下列步骤：

提供原料粉末，所述原料粉末提供Ni-W-Cr合金的合金组成，所述Ni-W-Cr合金包含以原子％计的下列各项：1至20％的W；1至20％的Cr；和余量的Ni；和

将所述原料粉末固结。

根据本发明，还提供了一种Ni-W-Cr合金薄膜，所述Ni-W-Cr合金薄膜是通过使用上述溅射靶材料或上述方法制备的。

[实施方案的描述]

下面对本发明进行详细描述。

根据本发明的溅射靶材料将用于制备垂直磁记录介质的中间层膜。所述溅射靶材料由Ni-W-Cr合金制成，所述Ni-W-Cr合金包含以原子％计的下列各项：1至20％的W；1至20％的Cr；和余量的Ni。

本发明的溅射靶材料含有W的量为1至20原子％，优选3至10原子％。小于1％的W含量导致小于3.53(×10^-10m)的不适宜的溅射薄膜晶格常数，而大于20％的W含量导致超过3.61(×10^-10m)的不适宜的晶格常数。