[发明专利]碳化硅单晶的制造装置和碳化硅单晶的制造方法

权利要求书

1.一种碳化硅单晶的制造装置，其特征在于，其包括：

反应容器主体，上部开口，于底部容纳升华用原料；和

盖体，覆盖该反应容器主体的上部开口，并且在背面侧配设晶种；和

筒状的引导构件，设置在所述反应容器主体内，将所述升华用原料升华而得到的原料气体引导至晶种，并且在所述晶种生长形成碳化硅单晶时引导碳化硅单晶生长，

所述引导构件由多个分割体构成。

2.根据权利要求1所述的碳化硅单晶的制造装置，其中，在所述分割体彼此之间设有间隙。

3.一种碳化硅单晶的制造方法，其特征在于，其包括以下步骤：

第一步骤，将容纳在反应容器主体内的含有碳化硅的升华用原料加热和升华而产生原料气体；和

第二步骤，晶种经由由多个分割体构成的引导构件接受所述原料气体，在受引导构件引导的同时生长成碳化硅单晶；和

第三步骤，将所述多个分割体自生长得到的所述碳化硅单晶分离并取出。