[发明专利]用于在玻璃基板上的芯片等级封装的镭射切割的方法

权利要求书

1.一种利用一镭射处理系统以进行复合电子装置切割的方法，其中多个这些复合电子装置按一组装所制造，此组装含有按迭层所排置的一第一基板及一第二基板，该多个这些复合电子装置经排置而在这些复合电子装置之间提供街道，并且该镭射处理系统具有一激光束，此者含有包含焦点、速度、波长、能量、光点大小、光点形状、脉冲宽度、脉冲形状和脉冲重复速率在内的参数，该激光束可运作以对这些组装进行镭射加工，其改良方式包含：

以具有第一预定镭射参数值的激光束在该第一基板里镭射加工一穿透划切，该穿透划切重合于位在这些复合电子装置间的街道的其中一个；以及

以具有第二预定镭射参数值的激光束在该第二基板里镭射加工一雕割，该第二基板里的雕割对齐于该第一基板里的穿透划切；以及

沿该雕割以机械方式劈裂该第二基板而切割这些复合电子装置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中这些用以执行该第一基板的镭射加工的镭射参数包含一约266nm至1064nm间的波长、一约4W至12W间的总功率、一约10微米至50微米间的光点大小、一约100KHz至1MHz间的脉冲重复速率以及一约1飞秒至1奈秒间的脉冲宽度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中这些用以执行该第一基板的镭射加工的镭射参数包含一约266nm至1064nm间的波长、一约4W至12W间的总功率、一约10微米至50微米间的光点大小、一约100KHz至1MHz间的脉冲重复速率以及一约1飞秒至1奈秒间的脉冲宽度。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该激光束的焦点经聚焦在约该第一基板82的上方表面处，藉以执行该第一基板内的穿透划切的镭射加工。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该激光束的焦点经聚焦在该第一基板上方表面的上约100微米至1000微米间，藉以执行该第二基板内的雕割的镭射加工。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该第一基板内的穿透划切是藉由令该激光束在该第一基板上通过2至10次而镭射加工。

7.根据权利要求1所述的方法，其中当进行该第一基板的镭射加工时，该激光束的行旅速度是在约100至500mm/s之间。

8.根据权利要求1所述的方法，其中在该第二基板内的穿透划切是藉由令该激光束在该第二基板上通过2至10次而镭射加工。

9.根据权利要求1所述的方法，其中当进行该第二基板的镭射加工时，该激光束的行旅速度是在约200至600mm/s之间。