[发明专利]包括受控的铜吸收量的光伏装置

权利要求书

1.一种制造光伏装置的方法，所述方法包括：

沉积半导体层；和

用氯化铜和含氮氯化物的混合物掺杂所述半导体层。

2.如权利要求1所述的方法，其中，所述半导体层每百万份具有多达并且包括2份的铜。

3.如权利要求1所述的方法，其中，开路电压增大。

4.如权利要求1所述的方法，其中，开路电阻减小。

5.如权利要求1所述的方法，其中，填充因子增大。

6.如权利要求1所述的方法，其中，所述含氮氯化物包括氯化铵。

7.一种光伏电池，所述光伏电池包括：

基板；和

铜掺杂半导体层，位于所述基板上，

其中，所述铜掺杂半导体层是用氯化铜和含氮氯化物的混合物掺杂的。

8.如权利要求7所述的光伏电池，其中，所述铜掺杂半导体层每百万份具有多达并且包括2份的铜。

9.如权利要求7所述的光伏电池，其中，开路电压增大。

10.如权利要求7所述的光伏电池，其中，开路电阻减小。

11.如权利要求7所述的光伏电池，其中，填充因子增大。

12.如权利要求7所述的光伏电池，其中，所述含氮氯化物包括氯化铵。

13.一种光伏电池，所述光伏电池包括：

基板；

铜掺杂半导体层，位于基板上，

其中，所述铜掺杂半导体层是用氯化铜和含氮氢氧化物的混合物掺杂的。

14.如权利要求13所述的光伏电池，其中，所述铜掺杂半导体层每百万份具有多达并且包括2份的铜。

15.如权利要求13所述的光伏电池，其中，开路电压增大。

16.如权利要求13所述的光伏电池，其中，开路电阻减小。

17.如权利要求13所述的光伏电池，其中，填充因子增大。

18.如权利要求13所述的光伏电池，其中，所述含氮氢氧化物包括氢氧化铵。