[发明专利]用于高深宽比的电介质蚀刻的方法及装置

权利要求书

1.一种用于在电介质层蚀刻高深宽比的特征的设备，其包括：

等离子体处理室，其包括：

形成所述等离子体处理室封壳的室壁；

用于为所述等离子体处理室封壳提供功率的支持基板的下电极；

用于为在所述下电极之上间隔开的所述等离子体处理室封壳提供功率的上电极；

用于提供气体到所述等离子体处理室封壳的进气口；和

用于从所述等离子体处理室封壳排出气体的出气口；

高频射频功率源，其电气连接到所述上电极或所述下电极中的至少一个上；

偏置功率源系统，其电气连接到所述上电极和所述下电极，其中所述偏置功率源系统能够提供幅值为至少500伏的偏压至所述上电极和所述下电极，其中至所述上电极的所述偏压产生二次电子，其中至所述下电极的所述偏压被脉冲化，以用所述二次电子间歇性塌陷产生的等离子体鞘层；

与所述进气口流体连接的气体源，其包括电介质蚀刻气体源；

控制器，其可控地连接到所述气体源、所述高频射频功率源和所述偏置功率源系统。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述偏置功率源系统包括：

偏置功率源；和

可替换地连接所述偏置功率源到所述上电极和所述下电极的开关。

3.如权利要求2所述的设备，其中所述偏置功率源是低频射频功率源。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述控制器包括：

处理器；和

计算机可读介质，其包括：

用于从所述电介质蚀刻气体源提供电介质蚀刻气体到所述等离子体处理室的计算机可读代码；

用于从所述高频射频功率源提供功率以使所述蚀刻气体形成蚀刻等离子体的计算机可读代码；

用于切换所述开关以可替换地连接所述偏置功率源到所述上电极和下电极的计算机可读代码。

5.如权利要求4所述的设备，其中用于切换所述开关的所述计算机可读代码以在10Hz到100kHz之间的频率执行切换。

6.如权利要求1所述的设备，其中所述控制器包括：

处理器；和

计算机可读介质，其包括：

用于从所述电介质蚀刻气体源提供电介质蚀刻气体到所述等离子体处理室的计算机可读代码；

用于从所述高频射频功率源提供功率以使所述蚀刻气体形成蚀刻等离子体的计算机可读代码；

用于脉冲化至所述下电极的所述偏压的计算机可读代码。

7.如权利要求6所述的设备，其中用于提供所述脉冲化的偏置功率至所述下电极的所述计算机可读代码以10Hz到100kHz之间的频率提供所述脉冲化的偏置功率。

8.如权利要求1所述的设备，其中至所述上电极的所述偏压是以与至所述下电极的脉冲化的偏置功率的频率相等的频率脉冲化的。

9.如权利要求1所述的设备，其中所述偏置功率源系统包括：

电气连接所述上电极的第一偏置源；

电气连接所述第一偏置源的第一脉冲源；

电气连接所述下电极的第二偏置源；和

电气连接所述第二偏置源的第二脉冲源。

10.如权利要求1所述的设备，其中所述上电极和所述下电极是平行板电极。