[发明专利]感光性树脂层压体

说明书

技术领域

本发明涉及感光性树脂层压体及其用途，详细而言，涉及适合于印刷线路板、BGA(Ball grid array，球栅阵列)和CSP(Chip size package，芯片尺寸封装)等半导体封装用基板、引线框用基板以及COF(Chip on film，覆晶薄膜)用线路板等的制造的感光性树脂层压体、以及使用其的抗蚀图案的形成方法和导体图案的制造方法。

背景技术

一直以来，作为用于制造印刷线路板、BGA、CSP等半导体封装用基板、引线框用基板、COF用线路板等的抗蚀剂，使用由支撑体薄膜、感光性树脂层和保护薄膜构成的所谓干薄膜抗蚀剂(以下简称为DF)。DF通常通过在支撑体薄膜上层压由感光性树脂组合物构成的感光性树脂层，进而在该感光性树脂层上层压保护薄膜而制作。为了形成这里使用的感光性树脂层，目前作为其显影液通常使用利用弱碱性水溶液的碱显影型的感光性树脂组合物。

另外，作为支撑体薄膜，使用透射活性光的透明薄膜。作为这样的薄膜，可以举出聚乙烯醇薄膜、聚碳酸酯薄膜、聚苯乙烯薄膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜等。通常，使用具有适度的挠性和强度的聚对苯二甲酸乙二醇酯薄膜。

另外，作为保护薄膜，有时使用聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜等聚烯烃薄膜、和用硅酮等进行了表面处理的聚酯薄膜等。从成本和与感光性树脂层的剥离特性的观点来看，通常使用聚烯烃薄膜(参照专利文献1～3)。

为了使用DF制作印刷线路板，首先，从DF剥离保护薄膜，然后使用层压机等在覆铜层压板、挠性基板等永久电路制作用基板上层压DF，隔着配线图案掩模薄膜等进行感光性树脂层的曝光。接着，根据需要剥离支撑体薄膜，通过显影液溶解或者分散去除未曝光部分的感光性树脂层，在基板上形成抗蚀图案。

形成抗蚀图案后(即图案化后)，使其形成电路的工序大致分为两种方法。第一种方法为，蚀刻去除覆铜层压板等的铜面未被抗蚀图案覆盖的露出部分后，用比显影液更强的碱性水溶液去除抗蚀图案部分的蚀刻法。第二种方法为，对与上述同样的铜面的露出部分进行铜、焊料、镍或锡等的镀敷处理后，同样地去除抗蚀图案部分，进而对通过去除抗蚀图案部分而显露出的覆铜层压板等的铜面进行蚀刻的镀敷法。蚀刻时使用氯化铜、氯化铁、铜氨络合物溶液等。

从生产率的观点来看，在使用了DF的图案化工序中，感光性树脂层对于活性光线的灵敏度常常成为问题。另外，DF通常以由支撑体薄膜、感光性树脂层和保护薄膜这3层结构组成的辊状提供，若在为辊状的期间放置后进行图案化，则可能会产生感光性树脂层的灵敏度降低的问题。若这样的辊状的DF经过保持时间而产生灵敏度降低，则长年的问题是抗蚀图案的分辨率和密合性降低，导致制品不良。

专利文献4中发现，保护薄膜所含有的抗氧化剂的量为180ppm以下且0ppm以上时，可以得到高灵敏度且保持时间所产生的灵敏度变化(即灵敏度降低)少的感光性树脂层压体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平08-123018号公报

专利文献2：日本特开平11-153861号公报

专利文献3：日本特开2002-323759号公报

专利文献4：日本特愿2004-267497号公报

发明内容

发明要解决的问题

但是，从制造保护薄膜的观点来看，将抗氧化剂量为180ppm以下的原料制薄膜时，容易因热而引起原料改性，因此存在需要抑制加热、抑制保护薄膜的生产率而制薄膜的问题。

本发明的目的在于提供一种感光性树脂层压体，其是将抗氧化剂量多于1ppm的保护薄膜层压而形成的，其灵敏度高，且保持时间所产生的灵敏度降低(即灵敏度变化)少，即保存稳定性良好。另外，本发明的目的在于提供一种抗蚀图案的形成方法和导体图案的制造方法，该方法包括以下工序：使用该感光性树脂层压体，在基板上形成感光性树脂层的工序；对该感光性树脂层进行曝光的工序；和对该感光性树脂层进行显影的工序。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述课题进行了研究，结果发现，通过将后述的通式(I)表示的、抗氧化剂量为多于1ppm且3000ppm以下的保护薄膜与感光性树脂层组合，可以得到高灵敏度且能够抑制保持时间所产生的灵敏度降低的感光性树脂层压体，从而完成了本发明。即，本发明如下所述。

[1]一种感光性树脂层压体，该层压体至少包含支撑体薄膜、由感光性树脂组合物构成的感光性树脂层和保护薄膜，