[发明专利]一种用于制备具有局部开口的电介质层的半导体装置特别是太阳能电池的方法以及相应的半导体装置无效
| 申请号： | 201080017637.1 | 申请日： | 2010-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102405528A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 特赫旦·巴巴拉;哈泽·费力克斯;诺伊贝特·托比亚斯 | 申请（专利权）人： | 太阳能研究所股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;B23K26/18;B23K26/40;H01L31/20;B23K26/00;H01L31/04;H01L21/268;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝 |
| 地址： | 德国埃*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 制备 具有 局部 开口 电介质 半导体 装置 特别是 太阳能电池 方法 以及 相应 | ||
1.一种用于制备半导体装置特别是太阳能电池的方法，上述方法包括：
提供硅衬底(1)；
在上述硅衬底(1)的表面上形成由非晶硅构成的第一层(3)；
在上述第一层(3)上形成由电介质构成的第二层(5)；和
通过用激光(7)照射上述硅衬底(1)和位于其上的层(3，5)，在烧蚀区域(9)局部地去除上述第二层(5)。
2.根据权利要求1所述的方法，上述方法还包括：
在烧蚀区域(9)沉积铝层(11)。
3.根据权利要求2所述的方法，上述方法还包括：
上述铝层(11)在至少180℃回火。
4.根据权利要求1至3之一所述的方法，其中，调整上述激光的特性和上述第一层(3)的特性，使得在上述烧蚀区域局部去除上述第二层期间，至多上述第一层(3)的一部分厚度被同时去除并且至少上述第一层(3)的剩余厚度保留至少1nm。
5.根据权利要求1至4之一所述的方法，其中，上述第一层(3)形成有在1nm和100nm之间的厚度。
6.根据权利要求1至5之一所述的方法，其中，调整上述激光(7)的特性和上述第二层(5)的吸收特性，使得在上述第二层不发生对激光的明显吸收。
7.根据权利要求1至6之一所述的方法，其中，上述激光(7)以脉冲方式照射，具有在1ps和100ns之间的脉冲持续时间。
8.根据权利要求1至7之一所述的方法，其中，上述激光(7)采用小于450nm的波长照射。
9.根据权利要求1至8之一所述的方法，其中，上述第一层(3)具有适于上述硅衬底(1)的表面的钝化的氢含量。
10.一种半导体装置，包括：
硅衬底(1)；
在上述硅衬底(1)的表面上的由非晶硅构成的第一层(3)；
在上述第一层(3)上的由电介质构成的第二层(5)；和
上述第二层(5)在烧蚀区域(9)被局部地去除；
上述第一层(3)在上述烧蚀区域(9)具有至少1nm的厚度。
11.根据权利要求10所述的半导体装置，还包括：
铝层(11)，上述铝层(11)至少在上述烧蚀区域(9)接触上述第一层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
