[发明专利]正极活性物质及具备包含该正极活性物质的正极的非水系二次电池

权利要求书

1.一种正极活性物质，用于非水系二次电池，包含含有锰的含锂过渡金属氧化物作为主晶相的结晶结构，其特征在于，

包含具有与所述含锂过渡金属氧化物相同的氧排列且不同的元素组成的副氧化物以及氧化锡(IV)，

并且，在能够通过衍射法确认其存在的状态下包含所述副氧化物以及氧化锡(IV)。

2.如权利要求1所述的正极活性物质，其特征在于，所述副氧化物含有典型元素和锰。

3.如权利要求2所述的正极活性物质，其特征在于，所述副氧化物含有锌和锰。

4.如权利要求1～3中任一项所述的正极活性物质，其特征在于，用以下的通式A表示含有所述主晶相、所述副氧化物及氧化锡(IV)的整体的组成时，0.01≤x≤0.20，

Li_1-XM1_2-2xM2_XM3_2XO_4-y…(通式A)

其中，M1为锰、或者过渡金属元素中的至少一种以上的元素和锰，M2及M3为选自由过渡金属元素以及金属的、半导体的或半金属的典型元素组成的组中的至少一种以上的元素，另外，y是与x满足电中性的值。

5.如权利要求1～4中任一项所述的正极活性物质，其特征在于，所述含锂过渡金属氧化物中含有的过渡金属仅为锰。

6.如权利要求1～5中任一项所述的正极活性物质，其特征在于，利用以CuKα射线作为射线源的粉末X射线衍射法，在2θ＝18.2±0.5°处观测到的主晶相的衍射峰强度A与在2θ＝26.5±0.5°处观测到的氧化锡(IV)的衍射峰强度B的峰强度比B/A满足0＜B/A＜2.2。

7.如权利要求1～6中任一项所述的正极活性物质，其特征在于，利用以CuKα射线作为射线源、且对于正极活性物质的入射角为0.5°的薄膜X射线衍射法，在2θ＝44.2±0.5°处观测到的主晶相的衍射峰强度C与在2θ＝26.5±0.5°处观测到的氧化锡(IV)的衍射峰强度D的峰强度比D/C(α＝0.5)满足0＜D/C(α＝0.5)＜2，其中，α表示薄膜X射线衍射法中的入射角。

8.如权利要求1～7中任一项所述的正极活性物质，其特征在于，利用以CuKα射线作为射线源、且对于正极活性物质的入射角为5°的薄膜X射线衍射法，在2θ＝44.2±0.5°处观测到的主晶相的衍射峰强度C与在2θ＝26.5±0.5°处观测到的氧化锡(IV)的衍射峰强度D的峰强度比D/C(α＝5)满足0＜D/C(α＝5)＜1，其中，α表示薄膜X射线衍射法中的入射角。

9.如权利要求1～8中任一项所述的正极活性物质，其特征在于，利用以CuKα射线作为射线源、且对于正极活性物质的入射角为0.5°的薄膜X射线衍射法，在2θ＝44.2±0.5°处观测到的主晶相的衍射峰强度C与在2θ＝26.5±0.5°处观测到的氧化锡(IV)的衍射峰强度D的峰强度比D/C(α＝0.5)、以及利用以CuKα射线作为射线源、且对于正极活性物质的入射角为5°的薄膜X射线衍射法，在2θ＝44.2±0.5°处观测到的主晶相的衍射峰强度C与在2θ＝26.5±0.5°处观测到的氧化锡(IV)的衍射峰强度D的峰强度比D/C(α＝5)，满足D/C(α＝0.5)＞D/C(α＝5)，其中，α表示薄膜X射线衍射法中的入射角。

10.如权利要求1～9中任一项所述的正极活性物质，其特征在于，利用以CuKα射线作为射线源、且对于正极活性物质的入射角为0.5°的薄膜X射线衍射法，在2θ＝44.2±0.5°处观测到的主晶相的衍射峰强度E与在2θ＝34.3±0.5°处观测到的副氧化物的衍射峰强度F的峰强度比F/E(α＝0.5)满足0＜F/E(α＝0.5)＜1.8，其中，α表示薄膜X射线衍射法中的入射角。

11.如权利要求1～10中任一项所述的正极活性物质，其特征在于，利用以CuKα射线作为射线源、且对于正极活性物质的入射角为5°的薄膜X射线衍射法，在2θ＝44.2±0.5°处观测到的主晶相的衍射峰强度E与在2θ＝34.3±0.5°处观测到的副氧化物的衍射峰强度F的峰强度比F/E(α＝5)满足0＜F/E(α＝5)＜1.5，其中，α表示薄膜X射线衍射法中的入射角。