[发明专利]碳纳米管导电膜以及用于制造其的方法

权利要求书

1.一种碳纳米管导电膜，包括：

基层；

形成在所述基层上的碳纳米管电极层；以及

保护层，所述保护层形成在所述碳纳米管电极层上并且包含陶瓷粘合剂。

2.根据权利要求1所述的碳纳米管导电膜，其中，所述保护层在侧链中具有至少一个烷基基团。

3.一种碳纳米管导电膜，包括：

基层；

形成在所述基层上的碳纳米管电极层；以及

保护层，所述保护层形成在所述碳纳米管电极层上并且包含陶瓷粘合剂，对于所述陶瓷粘合剂，极性反应基结合于侧链中具有疏水性反应基的主骨架的其他侧链中。

4.根据权利要求3所述的碳纳米管导电膜，其中，设置所述保护层的极性反应基以便与所述碳纳米管电极层的表面接触，以及设置所述保护层的疏水性反应基以便向外指向。

5.根据权利要求3所述的碳纳米管导电膜，其中，所述陶瓷粘合剂具有氧原子，并且结合在所述陶瓷粘合剂的主骨架的所述其他侧链中的所述极性反应基通过所述陶瓷粘合剂的氧与极性溶剂之间的氢键而构成。

6.根据权利要求1至5所述的碳纳米管导电膜，其中，构成所述保护层的所述陶瓷粘合剂具有[-Si(R1R2)-O-]n骨架结构，其中两个烷基基团对Si取代，并且两个烷基取代的部分[-Si(R1R2)-O-]、和Si和氧的两个结合部分[-O-SiR1R2-O-]在结构上指向彼此相反的方向。

7.根据权利要求6所述的碳纳米管导电膜，其中，包含在所述陶瓷粘合剂中的所述烷基基团的碳数是5至15。

8.根据权利要求1至5所述的碳纳米管导电膜，其中，构成所述保护层的陶瓷具有选自SnO₂、Y₂O₃、MgO、SiO₂、ZnO、和硅酮中的一种骨架，并且所述保护层的浓度为固体含量20wt％或更低。

9.根据权利要求1至5所述的碳纳米管导电膜，其中，所述保护层的厚度为10-500nm。

10.根据权利要求1至5所述的碳纳米管导电膜，其中，所述保护层的厚度与所述碳纳米管电极层的厚度的比率为2或更低。

11.根据权利要求1至5所述的碳纳米管导电膜，其中，以初始表面电阻值为基准，在65℃、95％、240小时的高温高湿度条件下测试以后，表面电阻值的比率为1.2或更低。

12.一种制造碳纳米管导电膜的方法，包括：

制备基层；

通过在所述基层上涂覆碳纳米管来形成碳纳米管电极层；以及

在所述碳纳米管电极层上涂覆包括在侧链中具有疏水性反应基的陶瓷粘合剂以及极性溶剂的涂布溶液。

13.一种制造碳纳米管导电膜的方法，包括：

制备基层；

通过在所述基层上涂覆碳纳米管来形成碳纳米管电极层；以及

通过在所述碳纳米管电极层上涂覆在侧链中具有烷基基团的陶瓷来形成保护层。

14.根据权利要求12或13所述的制造碳纳米管导电膜的方法，其中，所述陶瓷在所述侧链中具有至少一个烷基基团，并且所述烷基基团的碳数为5至15。

15.根据权利要求12或13所述的制造碳纳米管导电膜的方法，其中，涂覆所述涂布溶液包括：

制备溶剂以通过氢键结合于所述陶瓷粘合剂的氧；

通过将由具有氧原子的硅酮粘合剂构成的所述陶瓷粘合剂与所述溶剂混合来制备涂布溶液；以及

在所述碳纳米管电极层上涂覆所述涂布溶液。

16.根据权利要求15所述的制造碳纳米管导电膜的方法，其中，所述硅酮粘合剂具有[-Si(R1R2)-O-]n骨架结构，其中两个烷基基团对Si取代，并且在所述涂布溶液中两个烷基取代的部分[-Si(R1R2)-O-]与Si和氧的两个结合部分[-O-SiR1R2-O-]在结构上指向彼此相反的方向。