[发明专利]发射辐射的装置有效

专利信息
申请号: 201080018169.X 申请日: 2010-04-22
公开(公告)号: CN102414856A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 阿尔维德·洪策;邱建树;拉尔夫·克劳泽 申请(专利权)人: 欧司朗光电半导体有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 王萍;李春晖
地址: 德国雷*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 发射 辐射 装置
【权利要求书】:

1.一种发射辐射的装置,其具有:

-衬底(1);

-第一电极(2)和第二电极(9),

-至少一个设置在第一电极和第二电极之间的发射器层(5),其发射在紫色或蓝色光谱范围中的光,其中发射器层包括基质材料并且相对于基质材料包括0.1-5个重量百分比的荧光发射辐射的发射器和1-30个重量百分比的磷光激子俘获器,其中荧光发射器的发射最大值和磷光激子俘获器的发射最大值在蓝色、紫色或紫外光谱范围中。

2.根据上一权利要求所述的发射辐射的装置,其中在发射器层中存在至少一个第一子层和至少一个第二子层,其中第一子层包含基质材料和荧光发射辐射的发射器,而并不包含磷光激子俘获器,并且第二子层包含基质材料和磷光激子俘获器,而并不包含荧光发射辐射的发射器。

3.根据权利要求1所述的发射辐射的装置,其中在发射器层中不存在子层,其分别除了基质材料之外仅包含荧光发射辐射的发射器或磷光激子俘获器。

4.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中激子俘获器与发射辐射的发射器相比在较短的波长的情况下具有发射最大值。

5.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中基质的三线态水平T1基质高于激子俘获器的三线态水平T1激子俘获器,和/或,激子俘获器的三线态水平T1激子俘获器高于发射辐射的发射器的单线态水平S1发射器

6.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中发射最大值的波长之差最大为x-y nm。

7.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中发射器层的平均寿命在300cd/m2的发光密度的情况下比仅仅包含磷光激子俘获器的发射器层提高至少50%。

8.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中发射器层的平均寿命在300cd/m2的发光密度的情况下为至少10000h、优选为至少20000h。

9.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中由发射器层(5)发射的辐射基本上通过发射辐射的发射器来产生。

10.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中在发射器层中激子俘获器的发射最大值的归一化发射的强度为发射辐射的发射器的发射最大值的强度的最大20%、优选最大10%。

11.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中在发射器层(5)中在激子俘获器上的激子寿命的半值时间小于或等于10μs。

12.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中发射器层(5)的外部量子效率ηext相对于仅仅包含磷光激子俘获器的发射器层的外部量子效率提高至少20%。

13.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中具有至少一个另外的发射器层,其发射绿色、黄色、橙色和/或红色光谱范围中的光。

14.根据上述权利要求之一所述的发射辐射的装置,其中通过将通过第一发射器层(5)和至少一个另外的发射器层发射的辐射叠加来发射白光。

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