[发明专利]太阳能电池元件、分割太阳能电池元件、太阳能电池模块及电子设备有效

专利信息
申请号: 201080018185.9 申请日: 2010-04-27
公开(公告)号: CN102414830A 公开(公告)日: 2012-04-11
发明(设计)人: 小波本直也 申请(专利权)人: 京瓷株式会社
主分类号: H01L31/04 分类号: H01L31/04
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 蒋亭
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 太阳能电池 元件 分割 模块 电子设备
【权利要求书】:

1.一种太阳能电池元件,其具备具有一种导电型的第一半导体层和相反导电型的第二半导体层的半导体基板,且在所述第二半导体层侧的所述半导体基板的第一主面上,多个线状的集电电极分别从所述第一主面的中央部朝向两端部分离配置,所述太阳能电池元件的特征在于,

位于所述中央部的相邻的所述集电电极间的距离与位于所述两端部侧的相邻的所述集电电极间的距离不同。

2.如权利要求1所述的太阳能电池元件,其特征在于,

位于所述中央部的相邻的所述集电电极间的距离比位于所述两端部侧的相邻的所述集电电极间的距离短。

3.如权利要求1所述的太阳能电池元件,其特征在于,

配置有与所述集电电极交叉的第一输出取出电极。

4.如权利要求1所述的太阳能电池元件,其特征在于,

具备:从所述半导体基板的所述第一主面贯通到位于其相反侧的第二主面且与所述集电电极连接的多个贯通电极;配置在所述第二主面且与所述贯通电极连接的第二输出取出电极。

5.如权利要求2所述的太阳能电池元件,其特征在于,

所述中央部的所述第二半导体层的薄层电阻比所述两端部侧的所述第二半导体层的薄层电阻高。

6.如权利要求2所述的太阳能电池元件,其特征在于,

所述中央部的所述第二半导体层的厚度比所述两端部侧的所述第二半导体层的厚度薄。

7.如权利要求2所述的太阳能电池元件,其特征在于,

所述中央部的所述第二半导体层的最大杂质浓度比所述两端部侧的所述第二半导体层的最大杂质浓度低。

8.如权利要求2所述的太阳能电池元件,其特征在于,

以相邻的所述集电电极间的距离从所述中央部朝向所述两端部逐渐变长的方式配置所述集电电极。

9.如权利要求2所述的太阳能电池元件,其特征在于,

具有:位于所述中央部的由多个所述集电电极构成的第一集电电极组;位于所述两端部侧的由多个所述集电电极构成的第二集电电极组,

所述第一集电电极组的相邻的所述集电电极间的距离的平均值比所述第二集电电极组的相邻的所述集电电极间的距离的平均值小。

10.如权利要求9所述的太阳能电池元件,其特征在于,

所述第一集电电极组的所述集电电极的根数为偶数。

11.一种分割太阳能电池元件,其特征在于,

通过将权利要求1所述的太阳能电池元件沿着所述集电电极中的几根集电电极分割而获得。

12.一种太阳能电池模块,其特征在于,

具备权利要求1所述的太阳能电池元件。

13.一种太阳能电池模块,其特征在于,

具备权利要求11所述的分割太阳能电池元件。

14.一种电子设备,其特征在于,

具备权利要求1所述的太阳能电池元件。

15.一种电子设备,其特征在于,

具备权利要求11所述的分割太阳能电池元件。

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