[发明专利]用激光能照射半导体材料表面的方法和设备有效
| 申请号： | 201080018227.9 | 申请日： | 2010-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN102413986A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 茱利安·温特维尼;布鲁诺·戈达德;西里尔·迪唐;马克·布基亚 | 申请（专利权）人： | 爱克西可法国公司 |
| 主分类号： | B23K26/04 | 分类号： | B23K26/04;B23K26/073;B23K26/08;B23K26/40;B23K26/00;H01L21/20;B23K101/40 |
| 代理公司： | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人： | 周靖;郑霞 |
| 地址： | 法国热*** | 国省代码： | 法国;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 激光 照射 半导体材料 表面 方法 设备 | ||
1.一种照射半导体材料的方法，包括：
-选择半导体材料层表面的区域，所述区域具有区域尺寸；
-用具有束光斑尺寸的准分子激光器照射所述半导体材料层表面的所述区域；
-并且调节所述束光斑尺寸；
其特征在于，调节所述束光斑尺寸包括使所述束光斑尺寸可变地匹配所选择的区域的尺寸。
2.根据权利要求1所述的方法，其中使所述束光斑尺寸匹配是通过改变被成像在所述材料层表面上的可变孔的尺寸和形状来完成的。
3.根据权利要求1所述的方法，其中使所述束光斑尺寸匹配是通过改变具有可变图像放大倍率的光学系统的放大倍率来完成的。
4.根据权利要求1或3所述的方法，还包括将所述束光斑与所选择的区域在XYZ方向上对齐。
5.根据权利要求1到4所述的方法，其中所选择的区域是至少一个完整的模具。
6.根据权利要求1或5所述的方法，还包括在使所述束光斑尺寸匹配所选择的区域的尺寸之前使激光束均匀。
7.一种照射半导体材料的设备，包括：
-准分子激光器，其用于照射半导体材料层表面的选择区域，所述激光器具有针对具有区域尺寸的所述选择区域的激光束光斑尺寸；
-和用于调节所述激光束光斑尺寸的装置；
其特征在于，用于调节所述激光束光斑尺寸的所述装置适用于使所述激光束光斑尺寸可变地匹配所述选择区域的尺寸。
8.根据权利要求7所述的设备，其中所述准分子激光器适用于产生具有在1J/cm2到10J/cm2之间的能量密度的激光束。
9.根据权利要求7到8所述的设备，其中用于使所述激光束光斑尺寸匹配的所述装置包括成像在所述材料层表面上的可变孔。
10.根据权利要求7到9所述的设备，其中用于使所述激光束光斑尺寸匹配的所述装置包括具有可变图像放大倍率的光学系统。
11.根据权利要求7到10所述的设备，还包括用于使所述光斑与所述选择区域在XYZ方向上的对齐的装置。
12.根据权利要求7到11所述的设备，其中所述光斑尺寸匹配至少一个完整的模具。
13.根据权利要求7到12所述的设备，还包括被定位在用于调节所述激光束光斑尺寸的所述装置之前的光束均匀器。
14.根据权利要求7-13所述的设备用于制备半导体材料的用途。
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