[发明专利]半导体元件及制作半导体元件的方法

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，具有非合金电极，并且包括：

p型半导体区域，其由六方晶系III族氮化物构成，该p型半导体区域具有主面，该主面沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴倾斜的平面延伸，而不同于该六方晶系III族氮化物的c面；以及

金属层，设于上述p型半导体区域的上述主面上，

上述六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，

上述金属层与上述p型半导体区域以形成界面的方式层积，构成非合金电极。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中，

上述金属层由铂(Pt)、钯(Pd)及金(Au)中的至少任一种构成。

3.如权利要求1或2所述的半导体元件，其中，

上述p型半导体区域的上述主面中的法线向量与上述c轴所成的倾斜角，处于10度以上80度以下、或100度以上170度以下的范围。

4.如权利要求1至3中任一项所述的半导体元件，其中，

上述p型半导体区域的上述主面中的法线向量与上述c轴所成的倾斜角，处于63度以上80度以下、或100度以上117度以下的范围。

5.如权利要求1至4中任一项所述的半导体元件，其中，

还包括由六方晶系III族氮化物构成的支持基体，

上述支持基体具有半极性主面，

上述p型半导体区域设于上述支持基体的上述半极性主面上，并且上述主面具有半极性。

6.如权利要求5所述的半导体元件，其中，

上述支持基体的上述半极性主面与上述支持基体的c轴所成的倾斜角，处于63度以上80度以下、或100度以上117度以下的范围。

7.如权利要求1至6中任一项所述的半导体元件，其中，

还包括：

n型半导体区域，由六方晶系III族氮化物构成；以及

活性层，由六方晶系III族氮化物构成，

上述活性层设于上述n型半导体区域与上述p型半导体区域之间。

8.如权利要求1至7中任一项所述的半导体元件，其中，

上述界面含有厚度为10nm以下的氧化物层。

9.如权利要求8所述的半导体元件，其中，

上述氧化物层含有镓作为构成元素。

10.如权利要求8或9所述的半导体元件，其中，

上述氧化物层不含有上述金属层的构成元素的氧化物。

11.一种制作半导体元件的方法，其特征在于，包含如下步骤：

准备包含p型半导体区域的支持体的步骤，其中该p型半导体区域具有由六方晶系III族氮化物构成的主面；以及

在上述p型半导体区域的上述主面上堆积金属层，形成非合金电极的步骤，

上述六方晶系III族氮化物含有镓作为III族构成元素，

上述p型半导体区域的上述主面沿相对于该六方晶系III族氮化物的c轴倾斜的平面延伸，而不同于该六方晶系III族氮化物的c面。

12.如权利要求11所述的制作半导体元件的方法，其中，

上述金属层由铂(Pt)、钯(Pd)及金(Au)中的至少任一种构成。

13.如权利要求11或12所述的制作半导体元件的方法，其中，

在堆积上述金属层之前，还具有对上述支持体的上述p型半导体区域进行处理的步骤，

上述处理通过对上述支持体适用酸清洗而进行。

14.如权利要求11至13中任一项所述的制作半导体元件的方法，其中，

上述p型半导体区域的上述主面中的法线向量与上述c轴所成的倾斜角，处于10度以上80度以下、或100度以上170度以下的范围。

15.如权利要求11至14中任一项所述的制作半导体元件的方法，其中，

上述p型半导体区域的上述主面中的法线向量与上述c轴所成的倾斜角，处于63度以上80度以下、或100度以上117度以下的范围。