[发明专利]发光二极管以及用于制造发光二极管的方法

权利要求书

1.一种发光二极管，具有：

-半导体本体(1)，其中半导体本体(1)包括设计用于产生辐射的有源区(11)，

-支承体本体(2)，其在半导体本体(1)的上侧(1a)上固定在半导体本体(1)上，其中支承体本体(2)包括发光转换材料，尤其是由陶瓷发光转换材料构成，

-镜层(3)，其在半导体本体(1)的背离上侧(1a)的下侧(1b)上施加到半导体本体(1)，以及

-两个接触层(4a，4b)，其中所述接触层的第一接触层(4a)与半导体本体(1)的n导电区域(13)连接，而所述接触层的第二接触层(4b)与半导体本体(1)的p导电区域(12)导电连接。

2.根据上一权利要求所述的发光二极管，其中将至少一个沟道(9)从所述接触层(4a，4b)的至少之一引入半导体本体(1)和/或引向半导体本体(1)，所述沟道以导电材料(91)填充，所述材料与半导体本体(1)和所述接触层(4a，4b)之一导电连接。

3.根据上一权利要求所述的发光二极管，其中所述至少一个沟道(9)穿过镜层(3)。

4.根据上述两个权利要求之一所述的发光二极管，其中所述至少一个沟道(9)穿过支承体本体(2)。

5.根据上述权利要求之一所述的发光二极管，其中在工作中在有源区(11)中产生的电磁辐射能够仅仅通过支承体本体(2)离开发光二极管。

6.根据上述权利要求之一所述的发光二极管，其中支承体本体(2)的至少一个侧面(2c)与半导体本体(1)的至少一个侧面(1c)齐平地结束。

7.根据上述权利要求之一所述的发光二极管，其中盖层(5)完全覆盖半导体本体(1)的至少一个侧面(1c)。

8.根据上一权利要求所述的发光二极管，其中盖层(5)侧向地遮盖支承体本体(2)和/或镜层(3)。

9.根据上述权利要求之一所述的发光二极管，其中支承体本体(2)由陶瓷发光转换材料构成。

10.根据上述权利要求之一所述的发光二极管，其中耦合输出结构(6)设置在半导体本体(1)和支承体本体(2)之间，其中耦合输出结构(6)和半导体本体(1)的材料的折射率彼此偏差最多30％。

11.根据上述权利要求之一所述的发光二极管，其中耦合输出结构(6)的材料不同于半导体本体(1)的材料，并且耦合输出结构(6)的材料包含以下材料之一或者由其构成：TiO₂、ZnS、AlN、SiC、BN、Ta₂O₅。

12.根据上述权利要求之一所述的发光二极管，其中在半导体本体(1)和支承体本体(2)之间设置有连接单元(7)，其建立半导体本体(1)和支承体本体(2)之间的机械连接。

13.根据上一权利要求所述的发光二极管，其中连接单元(7)的折射率与半导体本体(1)的折射率偏差至少30％。

14.根据上述两个权利要求之一所述的发光二极管，其中连接单元(7)将耦合输出结构(6)在其暴露的外表面上围绕。

15.一种用于制造发光二极管的方法，具有带有以下顺序的以下步骤：

-提供半导体本体(1)，

-在半导体本体(1)的上侧(1a)上施加支承体本体(2)，

-剥离半导体本体(1)的生长衬底(14)，

-在半导体本体(1)的背离支承体本体(2)的下侧(1b)上产生镜层(3)，

-产生穿过镜层(3)和/或支承体本体(2)进入半导体本体(1)和/或去向半导体本体(1)的沟道(9)，

-用导电材料(91)填充沟道(9)

-构建接触层(4a，4b)，其中接触层(4a，4b)与导电材料(91)导电连接。