[发明专利]具有低ESL和低ESR的带引线的多层陶瓷电容器

权利要求书

1.一种多层陶瓷电容器，包括：

至少一个芯片，具有：

处于平行间隔关系的第一贱金属片，

处于平行间隔关系的第二贱金属片，

其中第一贱金属片和第二贱金属片彼此交错；

电介质，其置于第一贱金属片和第二贱金属片之间；

第一端子，其与所述第一贱金属片电接触；和

第二端子，其与所述第二贱金属片电接触，

其中所得的电介质、金属片、第一端子和第二端子的组合形成具有第一热膨胀系数的多层陶瓷电容器；

第一引线框，其附接至所述第一端子并与第一端子电接触，其中所述第一引线框具有第二热膨胀系数，并且第二热膨胀系数高于所述第一热膨胀系数；和

第二引线框，其附接至所述第二端子并与第二端子电接触，其中所述第二引线框具有第三热膨胀系数，并且第三热膨胀系数高于所述第一热膨胀系数；并且

其中所述第一引线框和第二引线框中的至少一个是非铁材料。

2.权利要求1的多层陶瓷电容器，其中所述非铁材料是从包括Cu 194、黄铜、铍铜和磷青铜的组中选择的。

3.权利要求2的多层陶瓷电容器，其中所述非铁材料是磷青铜。

4.权利要求3的多层陶瓷电容器，其中所述磷青铜包括至少80wt％的铜。

5.权利要求4的多层陶瓷电容器，其中所述磷青铜还包括锌、锡和磷。

6.权利要求1的多层陶瓷电容器，其中所述贱金属片包括镍。

7.权利要求6的多层陶瓷电容器，其中所述贱金属片实质上由镍构成。

8.权利要求1的多层陶瓷电容器，其中所述第二热膨胀系数和所述第三热膨胀系数中的至少一个相比第一热膨胀系数高至少2×10^-6μm/m℃。

9.权利要求1的多层陶瓷电容器，其中所述第二热膨胀系数和所述第三热膨胀系数中的至少一个相比第一热膨胀系数高至少4×10^-6μm/m℃。

10.权利要求1的多层陶瓷电容器，包括至少一个第二芯片。

11.权利要求10的多层陶瓷电容器，包括至少2个至不超过200个芯片。

12.权利要求11的多层陶瓷电容器，包括不超过50个芯片。

13.权利要求10的多层陶瓷电容器，其中所述芯片堆叠在所述第一引线框和第二引线框之间。

14.权利要求10的多层陶瓷电容器，其中相邻芯片的片不共面。

15.权利要求10的多层陶瓷电容器，其中相邻芯片的片共面。

16.权利要求10的多层陶瓷电容器，其中至少一个芯片具有带有共面片的相邻芯片以及带有不共面片的相邻芯片。

17.权利要求10的多层陶瓷电容器，其中所述芯片处在n×m阵列中，其中n是定义了堆叠芯片的数量的整数，m是定义了所述第一引线框和第二引线框之间的堆叠的数量的整数。

18.权利要求17的多层陶瓷电容器，其中所述第一引线框和第二引线框之间通过不超过一个芯片分隔。

19.权利要求17的多层陶瓷电容器，其中所述n×m不超过200。

20.权利要求19的多层陶瓷电容器，其中m不超过50。

21.权利要求19的多层陶瓷电容器，其中n不超过20。

22.权利要求1的多层陶瓷电容器，其中所述第一引线框和所述第一端子通过焊料连接。

23.权利要求22的多层陶瓷电容器，其中所述焊料是不含铅的焊料。

24.权利要求23的多层陶瓷电容器，其中所述焊料包括91-92wt％的Sn和8-9wt％的Sb。