[发明专利]升级冶金级硅材料提纯的过程控制

权利要求书

1.一种UMG-Si提纯方法，所述方法包括以下步骤：

执行熔化UMG-Si的定向固化，以形成硅锭；

将所述硅锭分割为多个块；

映射所述多个块的每一个的电阻率分布；

为所述多个块的每一个计算剪切线，以便基于所述电阻率映射去除浓缩的杂质；以及

沿着所述剪切线剪切所述多个块的每一个。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述计算剪切线的步骤进一步包括基于阈值杂质浓度计算所述剪切线。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述计算剪切线的步骤进一步包括基于阈值硼浓度计算所述剪切线。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述计算剪切线的步骤进一步包括基于阈值磷浓度计算所述剪切线。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述计算剪切线的步骤进一步包括基于阈值铝浓度计算所述剪切线。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述计算剪切线的步骤进一步包括基于所述硅锭的P/N转换计算所述剪切线。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述执行定向固化的步骤使用双定向固化炉，所述双定向固化炉将杂质浓缩在所述硅锭的顶部和一个侧面上。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述映射电阻率分布的步骤进一步包括将电阻率分布映射为三维固化交界面。

9.根据权利要求1所述的方法，其中将所述硅锭分割为多个块的步骤进一步包括将所述硅锭分割为多个小于18千克的块。