[发明专利]化合物半导体的沉积方法和装置

权利要求书

1.一种化合物半导体的沉积方法，其是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，

在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，

利用该传播光激发上述化合物半导体中与上述传播光所具有的能量以下的激发能量对应的成分，使其脱离。

2.一种化合物半导体的沉积方法，其是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，

在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，

使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。

3.一种化合物半导体的沉积方法，其是通过对供给到反应室内的气体照射沉积用的传播光来促进光化学反应、使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积方法，其特征在于，

在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射脱离用的传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，

使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的沉积用的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述脱离用的传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该脱离用的传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。

4.一种化合物半导体的沉积装置，其是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积装置，其特征在于，

在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，

利用该传播光激发上述化合物半导体中与上述传播光所具有的能量以下的激发能量对应的成分，使其脱离。

5.一种化合物半导体的沉积装置，其是使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积装置，其特征在于，

在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，

使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。

6.一种化合物半导体的沉积装置，其是通过对供给到反应室内的气体照射沉积用的传播光来促进光化学反应、使三元以上的化合物半导体在基板上沉积的化合物半导体的沉积装置，其特征在于，

在使化合物半导体向基板上沉积的同时，对该基板上照射脱离用的传播光，所述传播光的能量比由该化合物半导体的元素比例计算出的激发能量小，

使在上述基板上沉积的上述化合物半导体的微粒产生基于上述照射的沉积用的传播光的近场光，基于所产生的上述近场光，上述化合物半导体以多阶段形成新的振动能级，介由该新的振动能级之中具有上述脱离用的传播光所具有的能量以下的激发能量的振动能级，利用该脱离用的传播光使上述化合物半导体中与该激发能量对应的成分激发，使其脱离。