[发明专利]发光二极管用外延晶片

权利要求书

1.一种发光二极管用外延晶片，其特征在于，

具备GaAs基板、设置在所述GaAs基板上的pn结型的发光部和设置在所述发光部上的应变调整层，

所述发光部具有组成式为(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP的应变发光层，其中，X和Y是分别满足0≤X≤0.1以及0.39≤Y≤0.45的数值，

所述应变调整层对于发光波长透明并且具有比所述GaAs基板的晶格常数小的晶格常数。

2.根据权利要求1所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述应变发光层的组成式为Ga_YIn_1-YP，其中，Y是满足0.39≤Y≤0.45的数值。

3.根据权利要求1或2所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述应变发光层的厚度为8～30nm的范围。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述应变调整层的组成式为(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP，其中，X和Y是分别满足0≤X≤1以及0.6≤Y≤1的数值。

5.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述应变调整层的组成式为Al_XGa_1-XAs_1-YP_Y，其中，X和Y是分别满足0≤X≤1以及0.6≤Y≤1的数值。

6.根据权利要求1～3的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述应变调整层的材质为GaP。

7.根据权利要求1～6的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述应变调整层的厚度为0.5～20μm的范围。

8.根据权利要求1～7的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述发光部具有所述应变发光层与势垒层的叠层结构，包含8～40层的所述应变发光层。

9.根据权利要求1～8的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述势垒层的组成式为(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP，其中，X和Y分别是满足0.3≤X≤0.7以及0.49≤Y≤0.52的数值。

10.根据权利要求1～9的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，

在所述发光部的上面和下面的一方或两方具有覆盖层，

所述覆盖层的组成式为(Al_XGa_1-X)_YIn_1-YP，其中，X和Y是分别满足0.5≤X≤1以及0.48≤Y≤0.52的数值。

11.根据权利要求1～10的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述GaAs基板的面取向的范围是从(100)方向向(0-1-1)方向偏离15°±5°。

12.根据权利要求1～11的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述GaAs基板的直径为75mm以上。

13.根据权利要求12所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，翘曲量为200μm以下。

14.根据权利要求1～13的任一项所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，是用于促进植物培育的光合作用的发光二极管用外延晶片，所述应变发光层的峰发光波长为655～675nm的范围。

15.根据权利要求14所述的发光二极管用外延晶片，其特征在于，所述应变发光层的在发光波长700nm下的发光强度低于在所述峰发光波长下的发光强度的10％。