[发明专利]具有后表面反射器的双面太阳能电池

权利要求书

1.一种制造双面太阳能电池(BSC)的方法，所述方法包括以下步骤：

在具有第一导电类型的硅衬底的后表面上沉积具有所述第一导电类型的掺杂物，以形成后表面掺杂区；

在所述后表面掺杂区上沉积后表面电介质；

在所述硅衬底的前表面上形成具有第二导电类型的活动区，所述形成步骤包括热扩散步骤，其中所述方法包括单一的热扩散步骤；

蚀刻所述活动区；

将前表面钝化和防反射(AR)介电层沉积到所述活动区上；

施加后表面触点网格；

施加前表面触点网格；

烧制所述后表面触点网格；

烧制所述前表面触点网格；

将非晶硅层沉积到所述后表面触点网格和所述后表面电介质上，其中所述非晶硅层掺杂有具有所述第一导电类型的第二掺杂物；

在所述非晶硅层上沉积金属层；以及

隔离所述活动区。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述施加后表面触点网格的步骤进一步包括丝网印刷所述后表面触点网格的步骤，以及其中所述施加前表面触点网格的步骤进一步包括丝网印刷所述前表面触点网格的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在所述非晶硅层和所述金属层之间沉积导电界面层的步骤，其中在所述金属层的沉积步骤之前执行所述导电界面层的沉积步骤。

4.一种制造双面太阳能电池的方法，所述方法包括以下步骤：

在p型硅衬底的后表面上沉积硼掺杂层；

在所述硼掺杂层上沉积后表面电介质；

在所述硅衬底的前表面上扩散磷，以形成n⁺层和前表面结；

去除所述磷的扩散步骤中形成的磷硅玻璃(PSG)；

将前表面钝化和防反射(AR)介电层沉积到所述n⁺层上；

施加后表面触点网格；

施加前表面触点网格；

烧制所述后表面触点网格；

烧制所述前表面触点网格；

将非晶硅的硼掺杂层沉积到所述后表面触点网格和所述后表面电介质上；

将金属层沉积到所述非晶硅的硼掺杂层上；以及

隔离所述前表面结。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述施加后表面触点网格的步骤进一步包括丝网印刷所述后表面触点网格的步骤，以及其中所述施加前表面触点网格的步骤进一步包括丝网印刷所述前表面触点网格的步骤。

6.根据权利要求4所述的方法，其中使用激光划片机执行隔离所述前表面结的步骤。

7.根据权利要求4所述的方法，进一步包括在所述非晶硅的硼掺杂层和所述金属层之间沉积导电界面层的步骤，其中在所述金属层的沉积步骤之前执行所述导电界面层的沉积步骤。

8.根据权利要求7所述的方法，其中所述导电界面层由铟锡氧化物或铝掺杂氧化锌材料组成。

9.根据权利要求4所述的方法，其中同时执行烧制所述后表面触点网格和烧制所述前表面触点网格的步骤。

10.根据权利要求4所述的方法，其中在施加所述前表面触点网格的步骤之前执行烧制所述后表面触点网格的步骤。

11.根据权利要求4所述的方法，其中所述硼掺杂层的沉积步骤进一步包括利用化学气相沉积来沉积硼掺杂二氧化硅层的步骤。

12.根据权利要求4所述的方法，其中所述硼掺杂层的沉积步骤进一步包括利用化学气相沉积来沉积硼掺杂硅层的步骤。

13.根据权利要求4所述的方法，其中所述硼掺杂层的沉积步骤进一步包括利用等离子体增强化学气相沉积来沉积硼掺杂非晶硅层的步骤。

14.根据权利要求4所述的方法，其中所述硼掺杂层的沉积步骤进一步包括在所述硅衬底的所述后表面上喷射硼酸溶液的步骤。

15.根据权利要求4所述的方法，其中所述硼掺杂层的沉积步骤进一步包括在所述硅衬底的所述后表面上喷射硼掺杂旋涂玻璃的步骤。

16.根据权利要求4所述的方法，其中所述PSG的去除步骤进一步包括通过氢氟酸腐蚀剂来蚀刻所述前表面的步骤。