[发明专利]HVPE腔室硬件

权利要求书

1.一种设备，包括：

腔室主体，具有数个腔室壁；

反应性产物舟，耦接至所述腔室主体；

第一反应性产物源，配置于所述反应性产物舟中；

第二反应性源，配置于所述反应性产物舟中；

第一加热元件，耦接至所述反应性产物舟；

第三反应性源，耦接至所述腔室主体且配置于所述反应性产物舟外；

第二加热元件，嵌于所述腔室壁中；

气体分配元件，配置于所述腔室主体中且与所述第三反应性源耦接；

基座，配置于所述腔室主体中且与喷头相对；及

一个或多个加热元件，配置于所述基座下方。

2.如权利要求1所述的设备，其中所述腔室主体包括一个或多个环，所述一个或多个环包括不透明石英，并且其中所述腔室主体具有一个或多个壁，所述一个或多个壁包括透明石英。

3.如权利要求1所述的设备，进一步包括腔室盖，所述腔室盖与所述腔室壁耦接且位于所述气体分配元件上方，其中所述气体分配元件包括气体分配喷头，并且其中所述腔室盖包括石英。

4.如权利要求3所述的设备，其中所述基座包括碳化硅。

5.如权利要求4所述的设备，进一步包括第四反应性源，所述第四反应性源与所述第一反应性源和所述第二反应性源两者耦接。

6.如权利要求5所述的设备，进一步包括：

惰性气体源，所述惰性气体源与所述第一反应性气体源和所述第二反应性气体源两者耦接；以及

真空泵，所述真空泵在所述基座下方的一位置处与所述腔室主体耦接，

第一气体环，所述第一气体环沿着所述基座外围的腔室壁配置于所述腔室主体中，且所述第一气体环耦接至所述第一反应性产物与所述第二反应性产物两者；及

第二气体环，所述第二气体环耦接至所述第一气体环，所述第二气体环具有多个开口贯穿自身，以允许气体进入所述腔室主体，其中第一气体管与第二气体管各自包括透明石英，并且其中所述设备是氢化物汽相外延设备。

7.一种方法，包括：

将基板插入处理腔室中，所述处理腔室具有配置于基座上方的气体分配喷头，所述基板配置于所述基座上，所述处理腔室亦具有配置于所述处理腔室中且在所述气体分配喷头与所述基座之间的气体入口；

在所述处理腔室远端加热第一反应性气体；

通过所述气体入口引导所述第一反应性气体进入所述处理腔室；

通过所述气体分配喷头引导第二反应性气体至所述处理腔室；

加热所述处理腔室的数个壁；

旋转所述基板；及

沉积一层于所述基板上，所述层是所述第一反应性气体与所述第二反应性气体的反应性产物。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述方法是氢化物汽相外延方法。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括：

在所述处理腔室远端加热第三反应性气体；

通过所述气体入口引导所述第三反应性气体进入所述处理腔室。

10.如权利要求9所述的方法，其中所述第一反应性气体包括氯化镓。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述第二反应性气体包括氨。

12.如权利要求11所述的方法，其中所述第三反应性气体包括氯化铝。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述基板包括蓝宝石。

14.如权利要求13所述的方法，进一步包括加热含氯气体并流动所加热的含氯气体越过前驱物。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述前驱物选自液态镓与固态粉末铝所构成的群组。