[发明专利]原料供应单元、薄膜沉积装置及沉积薄膜的方法有效
申请号: | 201080019359.3 | 申请日: | 2010-04-23 |
公开(公告)号: | CN102414798A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | 姜敞晧;南宫晟泰;鲁俊瑞;赵晃新;尹亨硕;裵勍彬 | 申请(专利权)人: | 韩商SNU精密股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆勍 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 原料 供应 单元 薄膜 沉积 装置 方法 | ||
1.一种原料供应单元,包含:
一液化部,用以液化一原料;
一蒸发部,与所述液化部连通,用以蒸发所述已液化原料;以及
一喷射器,与所述蒸发部连通,用以喷射所述已蒸发原料,
其中所述液化部包含:
一罐,具有一圆柱形状,用以储存所述原料;
一活塞部,插入至所述罐的一侧,用以排放所述原料;以及
一液化加热部,用以加热所述罐,以液化所述原料。
2.根据权利要求1所述的原料供应单元,其特征在于,所述蒸发部包含:
一蒸发腔室,与所述罐连通;以及
一蒸发加热部,用以加热所述蒸发腔室,以蒸发所述原料。
3.根据权利要求1所述的原料供应单元,更包含:
一传送管,用以连接所述液化部至所述蒸发部;以及
一辅助蒸发加热部,用以加热连接至所述蒸发部的所述传送管的一端。
4.根据权利要求1所述的原料供应单元,其特征在于,所述喷射器具有一点式喷射结构、一平面式喷射结构及一线式喷射结构其中之一。
5.根据权利要求1所述的原料供应单元,更包含一控制部,用以控制自所述液化部供应至所述蒸发部的所述已液化原料的量以及所述蒸发部所蒸发的所述原料的量。
6.根据权利要求5所述的原料供应单元,其特征在于,所述控制部包含:
一压力计,用以感测所述蒸发部的一压力;以及
一驱动控制部,用以控制所述活塞部的往复驱动。
7.一种薄膜沉积装置,包含:
一腔室,用以提供一工艺空间;
一基板支撑部,设置于所述腔室中,用以支撑一基板;以及
一原料供应单元,面朝所述基板,用以供应一原料至所述基板,
其中所述原料供应单元包含:
一液化部,用以液化所述原料;
一蒸发部,与所述液化部连通,用以蒸发所述已液化原料;以及
一喷射器,与所述蒸发部连通,用以喷射所述已蒸发原料。
8.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置,其特征在于,所述液化部包含:
一罐,具有一圆柱形状,用以储存所述原料;
一活塞部,插入至所述罐的一侧,用以排放所述原料;以及
一液化加热部,用以加热所述罐,以液化所述原料。
9.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置,更包含一控制部,用以控制自所述液化部供应至所述蒸发部的所述已液化原料的量以及所述蒸发部所蒸发的所述原料的量。
10.根据权利要求7所述的薄膜沉积装置,更包含一控制部,用以控制自所述液化部供应至所述蒸发部的所述已液化原料的量以及所述蒸发部所蒸发的所述原料的量,
其中所述控制部包含:
一压力计,用以感测所述蒸发部的一压力;以及
一驱动控制部,用以控制所述活塞部的往复驱动。
11.一种沉积一薄膜的方法,所述方法包含:
填充一原料于一罐中;
加热所述罐,以液化所述原料;
传送在所述罐中液化的所述原料的一部分至一蒸发腔室,所述蒸发腔室是连接至所述罐;
蒸发被传送至所述蒸发腔室的所述原料;以及
喷射所述已蒸发原料至一基板。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述传送包含:压缩填充所述罐的所述原料,利用一活塞传送所述原料。
13.根据权利要求11所述的方法,更包含:经由量测所述蒸发腔室的一蒸发压力,调节自所述罐传送至所述蒸发腔室的所述原料的量。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述喷射包含利用一喷射器,所述喷射器具有一点式喷射结构、一平面式喷射结构及一线式喷射结构其中之一。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造