[发明专利]制造多晶硅薄膜的方法

权利要求书

1.一种制造多晶硅薄膜的方法，所述方法包括：

在绝缘衬底上形成金属层的金属层形成操作；

通过使所述金属层退火或通过沉积金属氧化物层，在所述金属层的表面上形成所述金属氧化物层的氧化物层形成操作；

在所述氧化物层形成操作中所形成的所述金属氧化物层上堆叠硅层的第一硅层形成操作；

使用退火工艺，通过使金属催化剂原子由所述金属层移到所述第一硅层来形成硅化物层的第一退火操作；

在所述硅化物层上堆叠非晶形硅层的第二硅层形成操作；以及

使用退火工艺，通过所述硅化物层的粒子介质，使所述非晶形硅层结晶成结晶硅层的结晶操作。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括插入所述衬底与所述金属层之间以及由二氧化硅形成的缓冲层。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其进一步包括：

在所述第一硅层形成操作后，在所述第一硅层上形成氮化硅层的过量催化剂捕获层形成操作；以及

在所述第一退火操作后，通过蚀刻去除所述氮化硅层的蚀刻操作。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述金属层的厚度为约5埃到1500埃，所述金属氧化物层的厚度为约1埃到300埃，所述第一硅层的厚度为约5埃到1500埃，以及所述金属层的厚度与所述第一硅层的厚度的比率在1∶0.5到1∶6的范围内。

5.根据权利要求3所述的方法，其中所述氧化物层形成操作是在约400℃到1000℃的退火温度下执行，以及所述第一退火操作是在约300℃到1000℃的退火温度下执行。

6.根据权利要求1所述的方法，在所述氧化物层形成操作及所述第一硅层形成操作后，其进一步包括使用光刻术或蚀刻工艺去除所述金属氧化物层的一部分，以暴露所述金属层的图案化操作。

7.一种制造多晶硅薄膜的方法，所述方法包括：

在绝缘衬底上堆叠非晶形硅的第一硅层形成操作；

在所述非晶形硅上形成金属氧化物层的氧化物层形成操作，所述金属氧化物层呈金属与所述金属的氧化物的混合物状态；

在所述金属氧化物层上堆叠非晶形硅的第二硅层形成操作；以及

使用所述金属氧化物层的金属粒子作为催化剂，使所述第一硅层的所述非晶形硅生长成结晶硅的结晶操作。