[发明专利]SOI晶片的检查方法

权利要求书

1.一种SOI晶片的检查方法，所述SOI晶片的检查方法是使用具有照射出可见光波长以上波段的光的光源的光学检查装置，由所述光源向在埋入式绝缘层上形成有SOI层而成的SOI晶片的表面照射光，通过检测来自于所述SOI晶片的反射光来检测所述SOI晶片表面的由于所述SOI层膜厚的增加及减少而变化所造成的缺陷，所述SOI晶片的检查方法的特征在于至少具有下述工序：

计算量变曲线P1的工序，所述量变曲线P1是表示所述检查对象SOI晶片对可见光以上的波长范围的光的反射率的波长相关性；

计算量变曲线P2的工序，所述量变曲线P2是表示与所述检查对象SOI晶片相比所述SOI层的膜厚仅减少特定厚度t[nm]、或增加特定厚度t[nm]的SOI晶片对可见光以上的波长范围的光的反射率的波长相关性；

计算所述计算出的量变曲线P1、P2两者的差的量变曲线P3(＝P2-P1)或量变曲线P1、P2的变化率的量变曲线P4(＝(P2-P1)/P1)，选择该计算出的量变曲线P3或P4内的最大峰值波长λ_M周围的波长λ或波段的工序；

向所述检查对象SOI晶片的表面照射所述已选择的波长λ或波段的光，检测来自于该SOI晶片的反射光的工序；及，

将所述检测出的反射光的反射强度增加而成为峰值的部分，检测为所述SOI晶片表面的所述SOI层膜厚的变化所造成的缺陷的工序。

2.如权利要求1所述的SOI晶片的检查方法，其中：当检测由于所述SOI层膜厚减少而变化所造成的缺陷时，在计算所述量变曲线P2的工序中，计算所述SOI层的膜厚仅减少t的SOI晶片的量变曲线P2；

当检测由于所述SOI层膜厚增加而变化所造成的缺陷时，在计算所述量变曲线P2的工序中，计算所述SOI层的膜厚仅增加t的SOI晶片的量变曲线P2。

3.如权利要求1或2所述的SOI晶片的检查方法，其中：对所述检测出的反射光的反射强度设定临界值，选择性地检测该临界值以上的缺陷。

4.如权利要求1至3中的任意一项所述的SOI晶片的检查方法，其中：根据所述SOI晶片的膜厚均匀性来设定所述特定厚度t。

5.如权利要求1至4中的任意一项所述的SOI晶片的检查方法，其中：将所述特定厚度t设定在5～20nm的范围内。

6.如权利要求1至5中的任意一项所述的SOI晶片的检查方法，其中：在计算所述量变曲线P2的工序中，计算出所述SOI层的膜厚仅减少所述特定厚度t的SOI晶片的量变曲线P2时，所述选择的波长λ或波段是从λ_M-20[nm]以上至λ_M+100[nm]以下的范围内选择，

在计算所述量变曲线P2的工序中，计算出所述SOI层的膜厚仅增加所述特定厚度t的SOI晶片的量变曲线P2时，所述选择的波长λ或波段是从λ_M-100[nm]以上至λ_M+20[nm]以下的范围内选择。