[发明专利]用于制造LED的MOCVD单一腔室分割工艺无效
申请号: | 201080019516.0 | 申请日: | 2010-04-22 |
公开(公告)号: | CN102414845A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | O·克利里欧科 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01L33/02 | 分类号: | H01L33/02 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陆嘉;钱孟清 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 制造 led mocvd 单一 分割 工艺 | ||
1.一种用于制造复合氮化物半导体结构的方法,包含以下步骤:
使用第一第III族前体及第一含氮前体,在处理腔室中使用热化学气相沉积工艺将第一层沉积于一个或多个基板上,所述第一第III族前体包含第一第III族元素,其中所述第一层包含氮及所述第一第III族元素;
在所述沉积第一层之后,将所述一个或多个基板自所述处理腔室移除,而不使所述一个或多个基板暴露于大气;
在所述沉积第一层之后,在将所述一个或多个基板自所述处理腔室移除之后,使第一清洁气体流入所述处理腔室以自所述处理腔室移除污染物;
在自所述处理腔室中移除污染物之后,将所述一个或多个基板运送至所述处理腔室中,而不使所述一个或多个基板暴露于大气;以及
使用第二第III族前体及第二含氮前体,在所述处理腔室中使用热化学气相沉积工艺,将第二层沉积于所述第一层上,其中所述第二第III族前体包含所述第一第III族前体未包含的第二第III族元素。
2.如权利要求1所述的方法,进一步包含以下步骤:
在所述沉积第二层之后,将所述一个或多个基板自所述处理腔室移除,而不使所述一个或多个基板暴露于大气;
在所述沉积第二层之后,在所述将所述一个或多个基板自所述处理腔室移除而不使所述一个或多个基板暴露于大气之后,使第二清洁气体流入所述处理腔室以自所述处理腔室移除污染物;
在所述使第二清洁气体流入所述处理腔室之后,将所述一个或多个基板运送至所述处理腔室中而不使所述一个或多个基板暴露于大气;
使用第三第III族前体及第三含氮前体,在所述处理腔室中使用热化学气相沉积工艺将第三层沉积于所述一个或多个基板上,所述第三第III族前体包含第三第III族元素,所述第三层包含氮及所述第三第III族元素;
使用第四第III族前体及第四含氮前体,在所述处理腔室中使用热化学气相沉积工艺将第四层沉积于所述一个或多个基板上,所述第四第III族前体包含第四第III族元素,所述第四层包含氮及所述第四第III族元素;
在所述沉积第四层之后,将所述一个或多个基板自所述处理腔室移除,而不使所述一个或多个基板暴露于大气;以及
在所述沉积第四层之后,在将所述一个或多个基板自所述处理腔室移除而不使所述一个或多个基板暴露于大气之后,使第三清洁气体流入所述处理腔室以执行沉积后清洁,从而自所述处理腔室移除污染物。
3.如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述第一清洁气体、所述第二清洁气体以及所述第三清洁气体为含卤素气体,每一清洁气体分别选自由以下组成的群组:氟气、氯气、溴气、碘气、碘化氢(HI)气、氯化氢(HCl)气、溴化氢(HBr)气、氟化氢(HF)气及其组合。
4.如权利要求3所述的方法,其特征在于:
所述第一第III族元素为镓;
所述第二第III族元素为铟;
所述第三第III族元素为铝;
所述第四第III族元素为镓;
所述第一层包含GaN层;
所述第二层包含InGaN层;
所述第三层包含p型掺杂AlGaN层;及
所述第四层包含p型掺杂GaN层。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述污染物主要包含富含Ga的GaN,所述污染物沉积在包括喷头的所述处理腔室的组件上。
6.如权利要求1所述的方法,进一步包含以下步骤:
在所述将所述一个或多个基板自所述处理腔室移除之后且在所述使第一清洁气体流入所述处理腔室以自所述处理腔室移除污染物之前,冲洗所述处理腔室以自所述处理腔室移除污染物;以及
在所述使第一清洁气体流入所述处理腔室以自所述处理腔室移除污染物之后,冲洗所述处理腔室以自所述处理腔室移除污染物。
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