[发明专利]涂层方法无效
申请号: | 201080019785.7 | 申请日: | 2010-04-14 |
公开(公告)号: | CN102414341A | 公开(公告)日: | 2012-04-11 |
发明(设计)人: | L·S·C·平格里;V·S·森德拉姆;M·R·西尔基斯;S·M·派尔 | 申请(专利权)人: | 波音公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/50 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人: | 赵蓉民 |
地址: | 美国伊*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 涂层 方法 | ||
1.一种用于向衬底施加抗磨损涂层的方法,其包含以下步骤:
产生包含大气等离子体;
向所述大气等离子体引入前体,选择所述前体从而形成所述抗磨损涂层;以及
相对于所述大气等离子体定位所述衬底,以便所述大气等离子体在所述衬底上沉积所述抗磨损涂层。
2.根据权利要求1所述的方法,其中所述抗磨损涂层为硅碳氧化物涂层。
3.根据权利要求1所述的方法,其中所述衬底为拉伸丙烯酸。
4.根据权利要求1所述的方法,其中所述大气等离子体为大气氧等离子体。
5.根据权利要求1所述的方法,其中所述产生步骤包括向大气等离子装置引入保护气体流和等离子源气体流。
6.根据权利要求5所述的方法,其进一步包含改变所述等离子源气体流和所述前体的体积比的步骤,从而操作所述抗磨损涂层的物理性质。
7.根据权利要求5所述的方法,其中所述保护气体流包括氦气和氩气中的至少一种,并且所述等离子源气体流包括分子气体。
8.根据权利要求1所述的方法,其中所述前体被引入运载气体中的所述大气等离子体。
9.根据权利要求1所述的方法,其中所述前体包括环状有机硅氧烷。
10.根据权利要求1所述的方法,其中所述前体包括四甲基四乙烯基环四硅氧烷。
11.根据权利要求1所述的方法,其中所述前体包括八甲基环四硅烷。
12.根据权利要求1所述的方法,其中所述大气等离子体由大气等离子装置产生,并且所述定位步骤包括在所述衬底和所述大气等离子装置之间保持不变的间距。
13.根据权利要求12所述的方法,其中所述大气等离子装置被安装在机器人装置上,并且通过所述机器人装置保持所述不变的间距。
14.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含在所述定位步骤前清洁所述衬底的步骤。
15.根据权利要求1所述的方法,其进一步包含以氧气等离子体处理所述衬底的步骤,其在所述定位步骤前基本无所述前体。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的