[发明专利]存储器装置中的多电平编程检验

权利要求书

1.一种用于存储器装置中的多电平编程检验的方法，所述方法包含：

将多个编程脉冲施加到选定存储器单元；及

在每一编程脉冲之后执行编程检验，其中所述编程检验的电压响应于相关联编程脉冲的编程电压而改变。

2.根据权利要求1所述的方法，其中第一编程检验具有比随后编程检验高的电压。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述相关联编程脉冲的所述编程电压大于或等于参考电压。

4.根据权利要求3所述的方法，其中响应于所述存储器装置的快速电荷损失特性而确定所述参考电压。

5.根据权利要求3所述的方法，且其进一步包括：

将所述多个编程脉冲中的每一随后编程脉冲增加一步进电压以产生经递增编程脉冲；及

将每一经递增编程脉冲与所述参考电压进行比较。

6.根据权利要求4所述的方法，其中响应于所述存储器装置的所述快速电荷损失特性而确定初始编程检验电压。

7.根据权利要求1所述的方法，其中施加所述多个编程脉冲包含将一系列编程脉冲施加到所述选定存储器单元的控制栅极，所述系列编程脉冲中的每一编程脉冲比所述系列编程脉冲中的前一编程脉冲增加一步进电压，且进一步其中所述编程检验包含第一电压，所述方法进一步包含：

在编程脉冲至少等于参考编程电压之后针对每一随后编程检验将所述第一电压减小到第二电压。

8.根据权利要求7所述的方法，其中减小所述第一电压包含从所述第一电压中减去快速电荷损失电压。

9.根据权利要求7所述的方法，其中将所述第一电压减小到所述第二电压在所述编程脉冲等于或大于所述参考编程电压时发生。

10.根据权利要求7所述的方法，其中每一编程检验包含处于所述第一电压或所述第二电压中的一者的电压脉冲。

11.根据权利要求1所述的方法，且其进一步包含在所述选定存储器单元通过所述编程检验时禁止对所述选定存储器单元的进一步编程。

12.根据权利要求11所述的方法，其中禁止进一步编程包含用禁止电压来偏置耦合到待禁止的所述选定存储器单元的数据线。

13.一种存储器装置，其包含：

存储器阵列，其包含多个存储器单元；及

控制电路，其耦合到所述存储器阵列以用于控制所述存储器阵列的操作，其中所述控制电路经配置以控制动态编程检验电压的产生，所述动态编程检验电压是响应于编程电压至少等于参考电压而调整。

14.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述存储器阵列组织成NAND架构。

15.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述控制电路进一步经配置以控制第二编程检验电压在所述编程脉冲等于或超过所述参考电压时的产生，所述第二编程检验电压小于初始编程检验电压。

16.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述控制电路进一步经配置以控制一系列增加的编程电压的产生，每一编程电压后面是一编程检验电压，其中所述控制电路经配置以禁止对具有至少等于目标电压的阈值电压的存储器单元的编程。

17.根据权利要求13所述的存储器装置，其中所述控制电路进一步经配置以控制响应于所述编程电压等于或大于所述参考电压而减小所述编程检验电压及增加所述编程电压。

18.一种存储器系统，其包含：

控制器，其经配置以控制所述存储器系统的操作；及

存储器装置，其耦合到所述控制器，所述装置包含：

存储器阵列，其包含多个存储器单元；及

存储器控制电路，其耦合到所述存储器阵列且经配置以控制所述存储器阵列的操作，所述存储器控制电路经配置以控制包含一系列递增增加的编程脉冲的编程操作，所述系列递增增加的编程脉冲在每一编程脉冲之后具有一编程检验脉冲，其中所述控制电路经配置以确定编程脉冲何时至少等于参考电压且从初始编程检验电压减小随后编程检验脉冲的电压。