[发明专利]太阳能电池、包含该太阳能电池的太阳能电池组件及其制造方法和接触膜制造方法无效
申请号: | 201080020248.4 | 申请日: | 2010-05-03 |
公开(公告)号: | CN102439729A | 公开(公告)日: | 2012-05-02 |
发明(设计)人: | M·塞德拉切克;J·穆勒;C·梅西耶 | 申请(专利权)人: | 库迈思控股有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 瑞士迪*** | 国省代码: | 瑞士;CH |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 包含 组件 及其 制造 方法 接触 | ||
1.一种太阳能电池(1),它包括以下几层:
a)半导电层(2),它具有第一表面(4)和第二表面(5),而在第一表面(4)上设有多个第一类接触点(6)和第二类接触点(7),二类接触点具有相反的极性;
b)第一层单层或多层穿孔薄膜(8,28)是由不导电材料制成的,它具有多个第一类孔(9);
c)结构化导电层(10),位于背对半导体层(2)的穿孔薄膜(8,28)的表面;
穿孔薄膜(8,28)和半导体层(2)的相对位置是这样的:至少有一部分第一类孔(9)和第一类接触点(6)以及第二类接触点(7)重叠,其特征在于至少有一部分第一类接触点(6)和第二接类触点(7)通过无焊剂电连接(11)与结构化导电层(10)连接。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池(1),其特征在于:无焊剂电连接(11)在第一类和第二类接触点(6,7)和结构化导电层(10)之间有一接触带(12)。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池(1),其特征在于:无焊剂电连接(11)包含一导电粘合剂(16)。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池(1),其特征在于:无焊剂电连接(11)可通过超声波焊接或激光焊接获得。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池(1),其特征在于:无焊剂电连接(11)为第一和第二类接触点(6,7)和结构化导电层(10)之间的直接连接。
6.太阳能电池组件(3)包含有多个根据权利要求1所述太阳能电池(1)。
7.生产太阳能电池(1)的方法包括以下几层:
a)半导电层(2),它具有第一表面(4)和第二表面(5),而在第一表面(4)上设有多个第一类接触点(6)和第二类接触点(7),二类接触点具有相反的极性;
b)第一层由不导电材料制成的单层或多层穿孔薄膜(8,28),它具有多个第一类孔(9);
c)结构化导电层(10),位于背对半导体层(2)的穿孔薄膜(8,28)的表面;
穿孔薄膜(8,28)和半导体层(2)的相对位置是这样的:至少有一部分第一类孔(9)和第一类接触点(6)以及第二类接触点(7)重叠,其中至少有一部分第一类和第二接类触点(6,7)通过无焊剂电连接(11)与结构化导电层(10)连接,
其特征在于:
d)半导电层(2)装有第一层由不导电材料制成的,单层或多层的穿孔薄膜(8,28),薄膜上设有多个第一类孔(9),
在穿孔薄膜(8,28)叠盖了一导电层(18),
而半导体层(2)上的穿孔薄膜(8,28)安装时应至少使一部分第一类孔(9)和第一类接触点(6)及第二类接触点(7)重叠;
e)导电层(18)被结构化,并且:
f)如此获得的结构化导电层(10)是通过穿过第一类孔(9)的无焊剂电连接(11)与第一接类触点(6)和第二个类接触点(7)相连的。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于:结构化导电层(10)通过超声波焊接或激光焊接使其与第一类接触点(6)和第二个类接触点(7)相连。
9.根据权利要求7或8所述的方法,其特征在于:第一层由一种或多种不导电材料制成的单层或多层薄膜由冲孔形成多个第一类孔(9),以及由此产生的第一层单层或多层打孔膜(8)用一导电层(18)覆膜。
10.根椐权利要求7至9所述的方法,其特征在于:结构化导电层(10)通过第一类孔(9)被压在第一类接触点(6)和第二类接触点(7)上,然后通过超声波焊接使结构化导电层(10)与第一类触点(6)和第二类接触点(7)连接。
11.根椐权利要求10所述的方法,其特征在于:由超声波焊接机将结构化导电层(10)压在第一类接触点(6)和第二类接触点(7)上。
12.根椐权利要求7至9所述的方法,其特征在于:导电层(18)通过冲孔产生多个第二类孔(19),并使第二类孔(19)处在第一类孔(9)之上;一接触带(12)连接第一类接触点(6)和第二类接触点(7)以及导电层(10);由此生成一个无焊剂电连接(11)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的