[发明专利]晶片承载器轨道

权利要求书

1.一种用于使晶片承载器在气相沉积反应器系统内漂浮和横移的晶片承载器轨道，包括：

轨道组件的上部，其被布置在所述轨道组件的下部上；

气体空腔，其被形成在所述轨道组件的所述上部和所述下部之间；

导向路径，其沿着所述上部的上表面延伸；

两个侧表面，其沿着所述导向路径并且在所述导向路径上方并且平行于彼此延伸，其中所述导向路径在所述两个侧表面之间延伸；

多个气体孔，其在所述导向路径内并且从所述上部的所述上表面延伸，穿过所述上部，并且进入所述气体空腔中；以及

被布置在所述轨道组件的一端处的上搭接接合部和被布置在所述轨道组件的相对端处的下搭接接合部，其中所述上搭接接合部沿着所述两个侧表面和所述导向路径的一部分延伸，并且所述下搭接接合部包括比所述轨道组件的所述导向路径和所述两个侧表面延伸得更远的上表面。

2.根据权利要求1所述的晶片承载器轨道，其中所述轨道组件的所述上部包括石英。

3.根据权利要求1所述的晶片承载器轨道，其中所述轨道组件的所述下部包括石英。

4.根据权利要求1所述的晶片承载器轨道，其中所述轨道组件的所述上部和所述下部中的每个独立地包括石英。

5.根据权利要求4所述的晶片承载器轨道，其中所述轨道组件的所述上部和所述下部被熔合在一起。

6.根据权利要求5所述的晶片承载器轨道，其中所述轨道组件的所述上部和所述下部包括石英。

7.根据权利要求6所述的晶片承载器轨道，其中所述轨道组件的所述下部包括石英板。

8.根据权利要求1所述的晶片承载器轨道，其中气体口从所述轨道组件的所述上部的侧表面延伸，穿过所述轨道组件的所述上部的一部分，并且进入所述气体空腔中。

9.根据权利要求1所述的晶片承载器轨道，其中所述多个气体孔包括约10个孔至约50个孔。

10.根据权利要求9所述的晶片承载器轨道，其中所述多个气体孔包括约20个孔至约40个孔。

11.根据权利要求10所述的晶片承载器轨道，其中每个气体孔具有在约0.005英寸至约0.05英寸的范围内的直径。

12.根据权利要求11所述的晶片承载器轨道，其中所述直径在约0.01英寸至约0.03英寸的范围内。

13.根据权利要求1所述的晶片承载器轨道，还包括被布置在所述导向路径上的漂浮晶片承载器，并且所述漂浮晶片承载器包括被布置在下表面内的至少一个凹陷窝。

14.根据权利要求13所述的晶片承载器轨道，其中所述漂浮晶片承载器包括被布置在所述下表面内的至少两个凹陷窝。

15.根据权利要求13所述的晶片承载器轨道，其中所述漂浮晶片承载器包括石墨。

16.一种晶片承载器轨道系统，包括至少两个如权利要求1所述的晶片承载器轨道，所述晶片承载器轨道系统包括：

第一晶片承载器轨道的上搭接接合部，其被布置在第二晶片承载器轨道的下搭接接合部上；

排气口，其被形成在所述第一晶片承载器轨道的所述上搭接接合部和所述第二晶片承载器轨道的所述下搭接接合部之间；以及

第一导向路径，其在所述第一晶片承载器轨道的上表面上且与所述第二晶片承载器轨道的上表面上的第二导向路径对准。

17.根据权利要求16所述的晶片承载器轨道系统，包括：

所述第二晶片承载器轨道的上搭接接合部，其被布置在第三晶片承载器轨道的下搭接接合部上。