[发明专利]具有平衡I/Q变压器的接收器

权利要求书

1.一种设备，其包含：

第一电路，其提供单端信号；及

变压器，其耦合到所述第一电路且包含

至少一个初级线圈，其接收所述单端信号，

第一次级线圈，其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且将第一差分信号提供到第二电路，及

第二次级线圈，其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且将第二差分信号提供到第三电路。

2.根据权利要求1所述的设备，所述第一电路包含低噪声放大器LNA，所述LNA放大所接收的射频RF信号且将所述单端信号提供到所述变压器。

3.根据权利要求2所述的设备，所述至少一个初级线圈作为所述LNA的无源负载来操作。

4.根据权利要求1所述的设备，所述第二电路包含第一混频器，所述第一混频器用同相I本机振荡器LO信号对所述第一差分信号进行下变频转换且提供差分I经下变频转换的信号，且所述第三电路包含第二混频器，所述第二混频器用正交Q LO信号对所述第二差分信号进行下变频转换且提供差分Q经下变频转换的信号。

5.根据权利要求1所述的设备，所述至少一个初级线圈包含

第一初级线圈，其以磁性方式耦合到所述第一次级线圈且接收所述单端信号，及

第二初级线圈，其以磁性方式耦合到所述第二次级线圈且接收所述单端信号。

6.根据权利要求1所述的设备，所述至少一个初级线圈包含具有接收所述单端信号的中央分接头的单一初级线圈，所述第一次级线圈以磁性方式耦合到所述初级线圈的第一半部，且所述第二次级线圈以磁性方式耦合到所述初级线圈的第二半部。

7.根据权利要求1所述的设备，所述至少一个初级线圈制造于第一导电层上，且所述第一及第二次级线圈制造于第二导电层上。

8.根据权利要求1所述的设备，所述至少一个初级线圈以及所述第一及第二次级线圈制造于单一导电层上。

9.根据权利要求5所述的设备，所述第一及第二初级线圈各自包含第一数目的匝，且所述第一及第二次级线圈各自包含比所述第一数目的匝少的第二数目的匝。

10.根据权利要求5所述的设备，所述第一次级线圈覆盖所述第一初级线圈，且所述第二次级线圈覆盖所述第二初级线圈。

11.根据权利要求5所述的设备，所述第一初级线圈及所述第一次级线圈在第一方向上以螺旋图案形成，且所述第二初级线圈及所述第二次级线圈在与所述第一方向相反的第二方向上以螺旋图案形成。

12.根据权利要求5所述的设备，其进一步包含：

第一可变电抗器，其与所述第一初级线圈并联耦合且形成第一谐振电路；及

第二可变电抗器，其与所述第二初级线圈并联耦合且形成第二谐振电路。

13.根据权利要求12所述的设备，所述第一及第二可变电抗器在集成电路上制造于所述变压器下方。

14.一种集成电路，其包含：

低噪声放大器LNA，其放大所接收的射频RF信号且提供单端RF信号；及

变压器，其耦合到所述LNA且包含

至少一个初级线圈，其接收所述单端RF信号，

第一次级线圈，其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且提供第一差分RF信号，及

第二次级线圈，其以磁性方式耦合到所述至少一个初级线圈且提供第二差分RF信号。

15.根据权利要求14所述的集成电路，其进一步包含：

第一混频器，其用同相I本机振荡器LO信号对所述第一差分RF信号进行下变频转换且提供差分I经下变频转换的信号；及

第二混频器，其用正交Q LO信号对所述第二差分RF信号进行下变频转换且提供差分Q经下变频转换的信号。

16.根据权利要求14所述的集成电路，所述至少一个初级线圈包含

第一初级线圈，其以磁性方式耦合到所述第一次级线圈且接收所述单端RF信号，及

第二初级线圈，其以磁性方式耦合到所述第二次级线圈且接收所述单端RF信号。