[发明专利]有机半导体材料、有机半导体薄膜以及有机薄膜晶体管

权利要求书

1.由下式(F)表示的有机半导体材料：

其中A表示由一个或多个芳环形成的环状共轭骨架结构，R₁和R₂各自独立地表示被取代或未被取代的烷基。

2.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中R₁和R₂各自独立地表示直链或支链C₁-C₁₈烷基。

3.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中R₁和R₂各自独立地表示直链或支链C₁-C₁₈烷基，其中的氢原子部分地被相同数目的氟原子取代。

4.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中A为苯环、萘环、蒽环、菲咯啉环、芘环、三亚苯环、并四苯环、并五苯环、联苯环、噻吩环、二噻吩环、三噻吩环、四噻吩环、五噻吩环、六噻吩环、七噻吩环、八噻吩环、苯并噻吩环、噻吩并噻吩环或二噻吩并噻吩环。

5.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中A含有一个或多个氟原子、溴原子、氯原子或氰基作为取代基。

6.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中A包括1至4个芳环。

7.根据权利要求1所述的有机半导体材料，其中A具有以下结构(1)至(7)中的一种。

8.有机半导体薄膜，其包括根据权利要求1-7中任一项所述的有机半导体材料。

9.在基底上形成且具有栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极的n-型有机薄膜晶体管，其中所述有机半导体层包括根据权利要求8的有机半导体薄膜。

10.根据权利要求9的n-型有机薄膜晶体管，其电子迁移率为0.001至5.0cm²/Vs。