[发明专利]具有面积有效实现方式的推挽式低噪放大器有效
申请号: | 201080021082.8 | 申请日: | 2010-05-10 |
公开(公告)号: | CN102577110A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | B·布伦;S·苏塔德雅;樊晓华;G·尤哈拉 | 申请(专利权)人: | 马维尔国际贸易有限公司 |
主分类号: | H03F3/30 | 分类号: | H03F3/30 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 酆迅;李峥宇 |
地址: | 巴巴多斯*** | 国省代码: | 巴巴多斯;BB |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 面积 有效 实现 方式 推挽式低噪 放大器 | ||
1.一种放大器集成电路(IC),包括:
推挽式配置,包括推级和挽级;
第一线圈,被配置以形成所述推级的第一负反馈电感;以及
第二线圈,被配置以形成所述挽级的第一负反馈电感,其中所述第一线圈和所述第二线圈是同心的。
2.根据权利要求1所述的放大器IC,还包括:
第一迹线,被配置以向放大级输入第一信号,其中所述第一迹线邻近并且接近所述第一线圈的第一部分;以及
第二迹线,被配置以向所述放大级输入第二信号,其中所述第二迹线邻近并且接近所述第一线圈的第二部分,并且其中所述第二部分布置为面对并且相对于所述第一部分。
3.根据权利要求2所述的放大器IC,其中所述第一线圈和所述第二线圈以及所述第一迹线和所述第二迹线布置在所述放大级与所述放大器IC的边缘之间。
4.根据权利要求1所述的放大器IC,其中所述第一线圈被配置以形成所述挽级的第二负反馈电感,并且其中所述第二线圈被配置以形成所述推级的第二负反馈电感。
5.根据权利要求1所述的放大器IC,其中所述第一线圈和所述第二线圈具有下列形状之一:圆形、螺旋形和多边形;并且其中所述第一线圈比所述第二线圈具有较大的面积。
6.根据权利要求1所述的放大器IC,其中所述第一线圈连接到公共电势,并且其中所述第二线圈连接到电源电压。
7.根据权利要求1所述的放大器IC,其中:
所述第一线圈和所述第二线圈各自具有第一端子和第二端子;
所述挽级包括第一晶体管,所述第一晶体管具有被配置以连接到所述第一线圈的第一端子的第一端子、第二端子以及控制端子;
所述推级包括第二晶体管,所述第二晶体管具有被配置以连接到所述第二线圈的第一端子的第一端子、第二端子以及控制端子;
所述第一线圈和所述第二线圈的第二端子被配置以分别连接到公共电势和电源电压。
8.根据权利要求7所述的放大器IC,其中:
所述挽级还包括第三晶体管,所述第三晶体管具有被配置以连接到所述第一晶体管的所述第二端子的第一端子以及第二端子;以及
所述推级还包括第四晶体管,所述第四晶体管具有被配置以连接到所述第三晶体管的所述第二端子的第一端子,以及用于连接到所述第二晶体管的第二端子的第二端子。
9.根据权利要求8所述的放大器IC,还包括:
输入电感,具有被配置以接收输入信号的第一端子、以及被配置以连接到所述第一晶体管的所述控制端子的第二端子;以及
电容,具有被配置以连接到所述第一晶体管的控制端子的第一端子、以及被配置以连接到所述第二晶体管的所述控制端子的第二端子。
10.根据权利要求1所述的放大器IC,其中:
所述所述第一线圈和第二线圈各自具有第一端子和第二端子;
所述挽级包括:
第一晶体管,具有被配置以连接到所述第一线圈的所述第一端子的第一端子、第二端子以及被配置以接收第一输入信号的控制端子;以及
第二晶体管,具有被配置以连接到所述第一线圈的所述第二端子的第一端子、第二端子以及被配置以接收第二输入信号的控制端子;以及
所述推级包括:
第三晶体管,具有被配置以连接到所述第二线圈的所述第一端子的第一端子、第二端子以及控制端子,以及
第四晶体管,具有被配置以连接到所述第二线圈的所述第二端子的第一端子、第二端子以及控制端子。
11.根据权利要求10所述的放大器IC,其中:
所述挽级还包括:
第五晶体管,具有被配置以连接到所述第一晶体管的所述第二端子的第一端子以及第二端子,以及
第六晶体管,具有被配置以连接到所述第二晶体管的所述第二端子的第一端子以及第二端子;以及
所述推级还包括:
第七晶体管,具有被配置以连接到所述第五晶体管的所述第二端子的第一端子、以及被配置以连接到所述第三晶体管的所述第二端子的第二端子,以及
第八晶体管,具有被配置以连接到所述第六晶体管的所述第二端子的第一端子、以及被配置以连接到所述第四晶体管的所述第二端子的第二端子。
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